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公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN102656667A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN102089358A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127035.9
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60
Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102388435A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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公开(公告)号：CN102388435B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080016856.8
申请日：2010-04-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/208 , B29C59/02 , C01B33/02 , C01B33/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/18 , C01P2004/01 , C01P2004/20 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/31 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。
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公开(公告)号：CN102656667B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN105385456A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510458542.8
申请日：2015-07-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K19/56 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法。本发明的液晶取向剂含有具有硅-硅键的化合物(X)。化合物(X)例如可举出具有下述式(1)所表示的部分结构的化合物等。式(1)中，R11及R12分别独立地为氢原子或一价有机基。“*”分别表示结合键。其中，两个“*”中的至少一个键结在硅原子上。本发明的液晶取向剂可使液晶显示元件的残像特性及可靠性良好。
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公开(公告)号：CN105385456B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201510458542.8
申请日：2015-07-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K19/56 , G02F1/1337
Abstract: 本发明提供一种液晶取向剂、液晶取向膜及其制造方法、液晶显示元件、以及相位差膜及其制造方法。本发明的液晶取向剂含有具有硅‑硅键的化合物(X)。化合物(X)例如可举出具有下述式(1)所表示的部分结构的化合物等。式(1)中，R11及R12分别独立地为氢原子或一价有机基。“*”分别表示结合键。其中，两个“*”中的至少一个键结在硅原子上。本发明的液晶取向剂可使液晶显示元件的残像特性及可靠性良好。
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