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公开(公告)号：CN102918611B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180024008.6
申请日：2011-05-19
Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 , 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C33/0278 , B22F2998/10 , C21D6/00 , C22C38/005 , H01F1/0573 , H01F41/0266 , H01F41/0293 , B22F3/02 , B22F3/1017 , B22F3/14
Abstract: 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比（长轴/短轴之比）为2以下的R-T-B系永磁体粉末（工序A）。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和／或Pr的稀土类元素，T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和／或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面，准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末（工序B）。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和／或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末（工序C），之后，在不活泼气氛或真空中，在500℃以上900℃以下的温度，对混合粉末进行热处理（工序D）。
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公开(公告)号：CN102918611A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180024008.6
申请日：2011-05-19
Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构 , 日立金属株式会社
CPC classification number: C22C33/0278 , B22F2998/10 , C21D6/00 , C22C38/005 , H01F1/0573 , H01F41/0266 , H01F41/0293 , B22F3/02 , B22F3/1017 , B22F3/14
Abstract: 准备通过HDDR法进行制造并且平均晶体粒径从0.1μm到1μm、晶粒的长径比（长轴/短轴之比）为2以下的R-T-B系永磁体粉末（工序A）。R为相对于R整体含有95原子%以上的Nd和／或Pr的稀土类元素，T为Fe或将Fe的一部分取代为Co和／或Ni且含有50原子%以上Fe的过渡金属元素。另一方面，准备包括R’和Cu且Cu为2原子%以上50原子%以下的R’-Cu系合金粉末（工序B）。R’为相对于R’整体含有90原子%以上的Nd和／或Pr且不含Dy和Tb的稀土类元素。混合R-T-B系永磁体粉末和R’-Cu系合金粉末（工序C），之后，在不活泼气氛或真空中，在500℃以上900℃以下的温度，对混合粉末进行热处理（工序D）。
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公开(公告)号：CN106030736A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009812.5
申请日：2015-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 野泽宣介
CPC classification number: H01F41/0266 , B22F1/0085 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D1/773 , C22C38/00 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/16 , H01F1/0577 , B22F9/04 , B22F2009/044 , B22F3/02 , B22F3/22 , B22F3/1028 , B22F2003/248 , B22F2202/05
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备R－T－B系烧结磁体原材的工序，所述R－T－B系烧结磁体原材以式uRwBxGayCuzAlqM(100－u－w－x－y－z－q)T来表示，上述RH为R－T－B系烧结磁体的5质量％以下，在29.5≤u≤32.0、0.86≤w≤0.93、0.2≤x≤1.0、0.3≤y≤1.0、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1且p＝[B]/10.811×14－[Fe]/55.847－[Co]/58.933时，满足p＜0的关系；和将上述R－T－B系烧结磁体原材在450℃以上且470℃以下的温度加热4小时以上且12小时以下的热处理工序。
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公开(公告)号：CN101379574B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780004156.5
申请日：2007-11-15
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F1/00 , B22F3/00 , B22F3/24 , B22F3/26 , B22F9/04 , C22C38/00 , H01F1/053 , H01F1/08
CPC classification number: H01F41/0273 , B22F3/11 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , C22C38/005 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0577 , H01F1/0578 , H01F41/0293 , B22F3/02 , B22F3/24
Abstract: 在本发明中，准备平均粒径小于20μm的R-Fe-B系稀土合金粉末，将R-Fe-B系稀土合金粉末成形、制作压粉体。本发明实施以下工序：HD工序，在氢气中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起氢化和歧化反应；和DR工序，在真空或惰性气氛中，在550℃以上小于1000℃的温度下，对压粉体实施热处理，由此引起脱氢和再化合反应，制作密度为真密度的60％以上90％以下且具有平均粒径0.01～2μm的微晶粒的多孔体。然后，在真空或惰性气氛中，在750℃以上小于1000℃的温度下，对多孔材料实施热处理，由此进行致密化，使密度达到真密度的93％以上，制作R-Fe-B系微晶高密度磁铁。
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公开(公告)号：CN101346780B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200780000911.2
申请日：2007-05-18
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F1/0579 , H01F41/028 , Y10T428/12153
Abstract: 本发明提供一种R-Fe-B系多孔质磁铁和其制造方法。本发明的R-Fe-B系多孔质磁铁是具有平均结晶粒径0.1μm以上1μm以下的Nd2Fe14B型结晶相的集合组织，至少一部分具有长径1μm以上20μm以下的细孔的多孔质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024235B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610117968.1
申请日：2016-03-02
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 提供一种R－T－B系烧结磁体，其特征在于，下述式(1)所示的组成满足下述式(2)～(10)，uRwBaCxGazAlvCoqTigFejM(1)29.0≤u≤34.0(2)、0.80≤w≤0.92(3)、0.10≤a≤0.20(4)、0.3≤x≤0.8(5)、0.05≤z≤0.5(6)、0≤v≤3.0(7)、0.15≤q≤0.29(8)、58.29≤g≤69.60(9)、0≤j≤2.0(10)，在将g除以Fe的原子量而得的值设为g’、将v除以Co的原子量而得的值设为v’、将z除以Al的原子量而得的值设为z’、将w除以B的原子量而得的值设为w’、将a除以C的原子量而得的值设为a’、将q除以Ti的原子量而得的值设为q’时，满足下述式(A)及(B)。－0.02≤(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－2×q’))(A)，0.02≥(g’+v’+z’)－(14×(w’+a’－q’))(B)。
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公开(公告)号：CN110024064A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074435.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C21D9/00 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
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公开(公告)号：CN107251176B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201680010761.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0253 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。[解决手段]该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN115116725A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210157065.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 野泽宣介
Abstract: 提供减少重稀土RH使用量且Br与HcJ的平衡优异的R－T－B系烧结磁体的制造方法和R－T－B系烧结磁体。该方法包括：准备R－T－B系烧结磁体原材料(R为稀土元素，T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少1种且必须包含Fe)的工序；准备RL－RH－B－M系合金的工序；和使RL－RH－B－M系合金的至少一部分附着于R－T－B系烧结磁体原材料的表面的至少一部分并加热的扩散工序，RL－RH－B－M系合金的RL含量为50mass％以上95mass％以下，RH含量为0mass％以上45mass％以下，B的含量为0.1mass％以上3.0mass％以下，M的含量为4mass％以上49.9mass％以下。
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公开(公告)号：CN111052276B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201880053770.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。
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