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公开(公告)号：CN111052276A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880053770.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。
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公开(公告)号：CN107251175B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201680010497.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备以[T1]/[X]的摩尔比为13.0以上作为主要特征的R1－T1－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd，且为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以摩尔比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，并在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN107251176A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010761.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0253 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
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公开(公告)号：CN111052276B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201880053770.9
申请日：2018-09-21
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备R1－T1－B系烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu－Co系合金的工序；使上述合金的至少一部分与上述烧结体的表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中以700℃以上1100℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对实施第一热处理后的R1－T1－B系烧结体在真空或不活泼气体气氛中以450℃以上600℃以下的温度实施第二热处理的工序。R1、R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd和Pr的至少一者。T1相对于B的mol比([T1]/[B])超过14.0且为15.0以下。
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公开(公告)号：CN110024064B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201780074435.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C21D9/00 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541676C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200480036710.4
申请日：2004-12-06
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B22D11/0611 , H01F1/0579 , H01F1/058 , H01F41/0253
Abstract: 本发明提供一种纳米复合磁体，其组成式由RxQyMz(Fe1-mTm)bal(R为1种以上的稀土类元素，Q为选自B和C的1种以上的元素，M为选自Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Ta、W、Pt、Au和Pb的至少一种、且一定含有Ti的金属元素，T为选自Co和Ni的1种以上的元素)表示，组成比率x、y、z、m分别满足6≤x＜10原子%、10≤y≤17原子%、0.5≤z≤6原子%、0≤m≤0.5，含有磁性结合的硬磁性相和软磁性相，上述硬磁性相由R2Fe14B型化合物构成，上述软磁性相主要含有α-Fe相和居里点为610℃以上700℃以下的结晶相(ω相)。
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公开(公告)号：CN110024064A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074435.2
申请日：2017-11-30
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F41/02 , B22F3/00 , B22F3/10 , B22F3/24 , C21D9/00 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/057
Abstract: 本发明的R－T－B系烧结磁体在实施方式中具有R：27mass％以上37mass％以下(R为稀土元素中的至少一种，必须含有Nd和Pr中的至少一方)、B：0.75mass％以上0.97mass％以下、Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下、Cu：0mass％以上1.0mass％以下、T：61.03mass％以上(T为选自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一种，必须含有Fe，Fe的含量相对于T整体为80mass％以上)的组成。T相对于B的摩尔比([T]/[B])超过14.0。磁体表面部的R量比磁体中央部的R量多，磁体表面部的Ga量比磁体中央部的Ga量多。磁体表面部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])比磁体中央部的T相对于B的摩尔比([T]/[B])高。
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公开(公告)号：CN107251176B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201680010761.2
申请日：2016-02-16
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: H01F41/0253 , C22C28/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/14 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/08 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，该R－T－B系烧结磁体直至磁体内部的二颗粒晶界能够变厚，即使进行表面研削、矫顽力提高效果也不会大幅受损，即使不使用重稀土元素也具有高的矫顽力。[解决手段]该制造方法包括：准备以Ti/(X－2A)的mol比为13以上作为主要特征的R1－T1－A－X(R1主要为Nd，T1主要为Fe，A为Ga、Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，X主要为B)系合金烧结体的工序；准备R2－Ga－Cu(R2主要为Pr和/或Nd且R2为65mol％以上95mol％以下，Cu/(Ga+Cu)以mol比计为0.1以上0.9以下)系合金的工序；和使R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在450℃～600℃的温度进行热处理的工序。
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