公开(公告)号：CN101065847A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580036954.7

申请日：2005-09-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 八尾勉 ,  原田信介 ,  岗本光央 ,  福田宪司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。

公开(公告)号：CN100536165C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200580036954.7

申请日：2005-09-30

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 八尾勉 ,  原田信介 ,  岗本光央 ,  福田宪司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。