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公开(公告)号：CN105765815A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480052151.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 矢崎总业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H02H9/025 , B60L2270/20 , H02H9/001 , H02H9/002 , H02H9/004 , Y10S323/908
Abstract: 将从继电器开关(SW)接通直到逆变器电容器(C)的充电完成为止的期间中的电流指令值设定为比与电路(1)中所包含的部件的额定电流的最小一个相对应的值更小的值，并且设定为比开关元件(Q)的安全操作区域中的最大电流值小的值。
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公开(公告)号：CN101065847A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580036954.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。
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公开(公告)号：CN100536165C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580036954.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。
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