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公开(公告)号：CN111504402A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910164604.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种传感器参数优化方法和装置、控制器及介质，应用于电磁流量传感器，所述方法包括：获取电磁流量传感器在一定的总流量、电极横向间距和电极纵向间距下测量管道内的平均流速和相关流速；获取所述相关流速和平均流速的误差率；将所述电极横向间距和电极纵向间距作为输入参数，多个总流量下对应的所述误差率作为输出参数，构建参数优化模型；将所述参数优化模型进行权值分配，得到所述电磁流量传感器的最佳电极横向间距和电极纵向间距。本发明通过分析多个总流量下相关流速和平均流速的误差率，获取电磁流量传感器的最优参数，时间短，成本低。
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公开(公告)号：CN115869544B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202211571901.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，所述神经元生长发育分别为原代神经元突起长度、胞体面积以及皮层M1区和M2区神经元树突棘密度的变化；利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为2毫瓦的太赫兹波对原代神经元进行持续三天，每天20min辐射处理；或者利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为5毫瓦的太赫兹波对麻醉的大鼠皮层区进行3h辐射处理，本发明利用特定频率和功率的太赫兹波对神经元辐射特定时间，会显著促进神经元生长发育。
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公开(公告)号：CN111504402B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910164604.2
申请日：2019-03-05
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种传感器参数优化方法和装置、控制器及介质，应用于电磁流量传感器，所述方法包括：获取电磁流量传感器在一定的总流量、电极横向间距和电极纵向间距下测量管道内的平均流速和相关流速；获取所述相关流速和平均流速的误差率；将所述电极横向间距和电极纵向间距作为输入参数，多个总流量下对应的所述误差率作为输出参数，构建参数优化模型；将所述参数优化模型进行权值分配，得到所述电磁流量传感器的最佳电极横向间距和电极纵向间距。本发明通过分析多个总流量下相关流速和平均流速的误差率，获取电磁流量传感器的最优参数，时间短，成本低。
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公开(公告)号：CN115869544A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211571901.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，所述神经元生长发育分别为原代神经元突起长度、胞体面积以及皮层M1区和M2区神经元树突棘密度的变化；利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为2毫瓦的太赫兹波对原代神经元进行持续三天，每天20min辐射处理；或者利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为5毫瓦的太赫兹波对麻醉的大鼠皮层区进行3h辐射处理，本发明利用特定频率和功率的太赫兹波对神经元辐射特定时间，会显著促进神经元生长发育。
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