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公开(公告)号：CN100538662C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710127453.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 炬力集成电路设计有限公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 本发明涉及了一种基于局部采样原理的存储器的磨损平衡实现方法，具体来讲是闪存的磨损平衡方法。本发明包括：建立闪存的生命周期模型；将整个生命周期按具体的使用规律分成一定个数的生命采样阶段；在某个采样阶段的终点，采集该采样阶段内的历史数据并进行分析，将任务最繁重的存储单元调配到最安静的区域，将最安静的区域对应的存储单元调配到任务最繁重的存储单元原先所在的区域。本发明可以达到磨损平衡，提高存储器的使用寿命，适用于所有易受损的存储器。
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公开(公告)号：CN1996251A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200710001228.2
申请日：2007-01-04
Applicant: 炬力集成电路设计有限公司
Inventor： 陈黎明
Abstract: 本发明公开了一种基于存储器的嵌入式系统的引导方法，包括：执行一次启动代码；扫描用于指示数据读取位置的序列，从该序列中指示的位置上读取存储器中的数据；判断所述读取的数据是否为有效的二次启动代码，如果有效，则调用或者执行该二次启动代码，引导系统代码运行；如果无效，则返回并从该序列中指示的下一位置读取数据。本发明可以克服BOOT ROM需要根据新型号flash变动的缺点，不受新出现的flash型号的制约，有利于嵌入式系统的升级和维护；避免对flash ID号的繁琐判断，可以适应任何具有Nand flash接口的flash；可以有效的保证系统的正常启动，且冗余备份机制简单可靠。
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公开(公告)号：CN101067800A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710127453.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 炬力集成电路设计有限公司
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 本发明涉及了一种基于局部采样原理的存储器的磨损平衡实现方法，具体来讲是闪存的磨损平衡方法。本发明包括：建立闪存的生命周期模型；将整个生命周期按具体的使用规律分成一定个数的生命采样阶段；在某个采样阶段的终点，采集该采样阶段内的历史数据并进行分析，将任务最繁重的存储单元调配到最安静的区域，将最安静的区域对应的存储单元调配到任务最繁重的存储单元原先所在的区域。本发明可以达到磨损平衡，提高存储器的使用寿命，适用于所有易受损的存储器。
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公开(公告)号：CN100524217C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710001228.2
申请日：2007-01-04
Applicant: 炬力集成电路设计有限公司
Inventor： 陈黎明
Abstract: 本发明公开了一种基于存储器的嵌入式系统的引导方法，包括：执行一次启动代码；扫描用于指示数据读取位置的序列，从该序列中指示的位置上读取存储器中的数据；判断所述读取的数据是否为有效的二次启动代码，如果有效，则调用或者执行该二次启动代码，引导系统代码运行；如果无效，则返回并从该序列中指示的下一位置读取数据。本发明可以克服BOOT ROM需要根据新型号flash变动的缺点，不受新出现的flash型号的制约，有利于嵌入式系统的升级和维护；避免对flash ID号的繁琐判断，可以适应任何具有Nand flash接口的flash；可以有效的保证系统的正常启动，且冗余备份机制简单可靠。
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