一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110803707A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911066301.3

    申请日:2019-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:制备复合物介晶模板、制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球、清洗工作电极、制备电化学沉积液、恒电位沉积,制备得到钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜。本发明通过在纳米氧化钨薄膜中引入钛掺杂多级孔二氧化硅,制备的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜相较于纯纳米氧化钨薄膜,其具有明显的多孔结构,显著提高了复合薄膜的比表面积,而且钛的引入为复合薄膜提供了活性位点,缩短了离子与电子在其内部的扩散路径,利于离子与电子的快速嵌入与脱出,有效的提高了复合薄膜的的光学调制范围、着色效率和循环稳定性。

    一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110803707B

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN201911066301.3

    申请日:2019-11-04

    Abstract: 本发明公开了一种钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:制备复合物介晶模板、制备钛掺杂多级孔二氧化硅微球、清洗工作电极、制备电化学沉积液、恒电位沉积,制备得到钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜。本发明通过在纳米氧化钨薄膜中引入钛掺杂多级孔二氧化硅,制备的钛掺杂多级孔二氧化硅/纳米氧化钨复合电致变色薄膜相较于纯纳米氧化钨薄膜,其具有明显的多孔结构,显著提高了复合薄膜的比表面积,而且钛的引入为复合薄膜提供了活性位点,缩短了离子与电子在其内部的扩散路径,利于离子与电子的快速嵌入与脱出,有效的提高了复合薄膜的的光学调制范围、着色效率和循环稳定性。

    一种氨基功能化空心多级介孔二氧化硅微球及其制备方法

    公开(公告)号:CN109399647A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811295481.8

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明公开了一种氨基功能化空心多级介孔二氧化硅微球及其制备方法,该二氧化硅微球以阴离子聚电解质和阳离子表面活性剂形成的复合物介晶为模板剂,利用无机硅源与氨基硅源的共水解,经动态组装、并去除有机模板后制得。本发明提供的空心二氧化硅微球的骨架中均匀修饰了氨基官能基团,而且在其二氧化硅壳层中稳定存在多级介孔结构,比表面积大,有利于物质在其内部的传输,在催化和吸附分离等领域具有良好的工业应用前景;制备工艺步骤简单,反应条件温和,易于推广。

    一种硫化铜纳米片的连续合成方法

    公开(公告)号:CN117430151A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311489231.9

    申请日:2023-11-09

    Abstract: 本发明公开一种硫化铜纳米片的连续合成方法,属于纳米材料合成技术领域,分别准备铜盐‑聚乙烯亚胺混合溶液、抗坏血酸溶液和硫‑乙醇溶液,利用蠕动泵将三种溶液同时地并持续地输送至预热的、装有水的、并且搅拌的连续反应器中,控制反应时间,最后得到硫化铜纳米片悬浮液,通过离心分离、去离子水和乙醇清洗、以及干燥,得到硫化铜纳米片的粉末。本方法合成的硫化铜纳米片形貌单一、尺寸均匀并且容易调控、并且分散良好。本方法具有操作简单、对设备要求低、合成时间短、反应条件温和等特点,并且实现了硫化铜纳米片的连续制备,有利于大规模制备。

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