公开(公告)号：CN119852179A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510061813.X

申请日：2025-01-15

Applicant: 湖南大学 ,  长沙半导体技术与应用创新研究院

Inventor： 胡袁源 ,  张宇 ,  胡娴

IPC: H01L21/385 ,  H10D30/47

Abstract: 本发明公开了一种一种掺杂二维半导体的方法及应用，其方法具体为：制备图案化粘性聚合物层；将所述图案化粘性聚合物层的图案侧贴至另一片表面平整的粘性聚合物上形成图案化通孔；向所述图案化通孔内滴入掺杂剂，掺杂剂沿着图案化通孔流动；待掺杂剂凝固后，撕掉表面的所述图案化粘性聚合物层，形成带有粘性聚合物的图案化的掺杂剂；将所述带有粘性聚合物的图案化的掺杂剂转移至二维半导体上进行掺杂。该方法可以精确控制掺杂区域、掺杂浓度以及掺杂极性，进而可以构建逻辑电路。

公开(公告)号：CN117597003A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311823388.0

申请日：2023-12-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 胡袁源 ,  陈平安 ,  胡娴

IPC: H10K71/60 ,  H10K71/00 ,  H10K71/40 ,  H10K85/50 ,  H10K10/46 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40 ,  H01L21/28 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明公开了一种金属卤化物钙钛矿电极的制备方法及其应用，制备方法包含以下步骤：步骤1)：将BSnI3前驱体溶液旋涂于图案化疏水自组装单分子层衬底上形成图案化金属卤化物钙钛矿薄膜，其中B为能使得BSnI3形成钙钛矿相的有机或无机阳离子；步骤2)退火，得到具有图案化的金属卤化物钙钛矿电极。本发明的制备方法，可以通过溶液法实现对电极的大面积、图案化和低成本制备。与此同时，对金属卤化物钙钛矿材料组分的调控可以控制钙钛矿电极的电导率、功函数和电极薄膜质量。