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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115765399A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211569894.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。
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公开(公告)号：CN116861833B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311100643.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiC MOSFET的静态特性和温度特性构建SiC MOSFET的沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiC MOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiC MOSFET物理模型；识别出所述SiC MOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiC MOSFET器件的电力电子系统仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN116629183B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310905424.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
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公开(公告)号：CN116861833A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311100643.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/006
Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiC MOSFET的静态特性和温度特性构建SiC MOSFET的沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiC MOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiC MOSFET物理模型；识别出所述SiC MOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiC MOSFET器件的电力电子系统仿真方法提供依据。
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公开(公告)号：CN116629183A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310905424.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
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