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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115765399A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211569894.7
申请日：2022-12-08
Applicant: 湖南大学 , 长沙半导体技术与应用创新研究院
Abstract: 本发明提供一种集成耦合阻尼线圈和碳化硅MOSFET芯片的功率模块，功率模块包括在高度方向由上到下依次设置的第二铜层、绝缘层、第一铜层；绝缘层上开设有凹槽，凹槽中容纳有线圈；环形结构的高度小于凹槽高度，线圈与第二铜层之间设置有绝缘材料；功率模块还包括第一电阻、第一电容；线圈与第一电阻、第一电容相互串联在第一回路中；第二铜层上设置有第一碳化硅MOSFET芯片、第二碳化硅MOSFET芯片、第二电容，第一碳化硅MOSFET芯片具有第一栅极、第一源极、第一漏极，第二碳化硅MOSFET芯片具有第二栅极、第二源极、第二漏极；第一源极与第二漏极电连接，第一漏极、第二源极之间电连接有第二电容。
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公开(公告)号：CN116388546B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310658846.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/34
Abstract: 本发明公开了一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法，所述电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器；SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2依次连接并与直流母线连接构成功率回路，耦合线圈的一次侧电感串联于功率回路中，耦合线圈的二次侧电感与负电感模拟器串联构成二次侧回路；根据负电感模拟器的等效电感与耦合线圈、寄生电感之间的关系来确定负电感模拟器的等效电感，从而确定负电感模拟器中无源元件的参数。本发明可以利用负电感模拟器的等效电感来消除功率回路中的寄生电感，实现开关振荡抑制的目的。
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公开(公告)号：CN116629183A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310905424.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
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公开(公告)号：CN116629183B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310905424.1
申请日：2023-07-24
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET干扰源建模方法、设备及存储介质，该方法包括构建考虑高频寄生参数的碳化硅MOSFET等效测试电路模型；基于碳化硅MOSFET等效测试电路模型，对碳化硅MOSFET开关过程进行分析，得到漏源电压在开关过程中的通用波形；根据漏源电压在开关过程中的通用波形计算出碳化硅MOSFET在时域的分段函数表达式；根据分段函数表达式构建碳化硅MOSFET干扰源的通用波形模型。本发明可以更为精确预测电磁干扰，极大提高了预测电磁干扰的准确性。
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公开(公告)号：CN116388546A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310658846.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M1/34
Abstract: 本发明公开了一种利用负电感消除寄生电感的振荡抑制电路及方法，所述电路包括SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2、耦合线圈、寄生电感以及负电感模拟器；SiC MOSFET管Q1、SiC MOSFET管Q2依次连接并与直流母线连接构成功率回路，耦合线圈的一次侧电感串联于功率回路中，耦合线圈的二次侧电感与负电感模拟器串联构成二次侧回路；根据负电感模拟器的等效电感与耦合线圈、寄生电感之间的关系来确定负电感模拟器的等效电感，从而确定负电感模拟器中无源元件的参数。本发明可以利用负电感模拟器的等效电感来消除功率回路中的寄生电感，实现开关振荡抑制的目的。
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