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公开(公告)号：CN117878832A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410036992.7
申请日：2024-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源IC的过温保护电路，属于集成电路设计领域，包括：基准电流源模块、PTAT电流源模块、温度判决模块、温度感测模块以及迟滞比较器模块。该电路采用分温段触发模式和迟滞比较技术，在保证宽工作温度范围的同时，不仅能够显著降低传统过温保护在全温段下无差别工作产生的高功耗，而且可以有效避免在过温保护点附近因工艺波动或噪声等引发的误触发故障，并且还能解决因外部扰动导致功率管反复开关的问题，从而适合应用于需要集成过温保护功能的功率芯片中。本发明所述的过温保护电路拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低功耗与高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的寿命与稳定性。
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公开(公告)号：CN117908620A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410074755.X
申请日：2024-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源芯片的带隙基准电路，属于集成电路设计领域，包括：自启动模块、一阶曲率补偿模块、零次方温漂模块、一次方温漂模块以及高阶曲率补偿模块。该电路采用高阶温度依赖项产生技术与电流模补偿模式，在保证宽工作温度范围的前提下，不仅能够显著降低传统一阶和低阶曲率补偿产生的较大温度漂移系数，而且具有高电源抑制比能力以满足恶劣工作环境，并且由于无需传统的运算放大器和电压偏置级等模块而具有很低的功耗，从而适合应用于需要集成带隙基准源的功率芯片中。本发明的带隙基准拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低温漂，低功耗以及高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的效率与稳定性。
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公开(公告)号：CN114371194B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210032100.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电(56)对比文件程佩红 等.Ge／Si 量子阱结构的C-V 特性的模拟《.半导体学报》.2008,第29卷(第1期),第110-115页.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114371194A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210032100.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电导法不仅能够精确表征掺杂杂质的分布，还能够节省成本和时间。
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公开(公告)号：CN113949592B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111576971.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的对抗攻击防御系统及方法，基于FPGA的对抗攻击防御平台，构建基于FPGA的异构流架构，将PC端算法在不影响其防御效果的情况下移植到FPGA上，用于快速正确识别原始样本以及对抗攻击产生的对抗样本，且功耗很低，满足实际应用场景需求，提高实际应用场景安全性。
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公开(公告)号：CN113949592A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111576971.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的对抗攻击防御系统及方法，基于FPGA的对抗攻击防御平台，构建基于FPGA的异构流架构，将PC端算法在不影响其防御效果的情况下移植到FPGA上，用于快速正确识别原始样本以及对抗攻击产生的对抗样本，且功耗很低，满足实际应用场景需求，提高实际应用场景安全性。
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公开(公告)号：CN113629148A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110706987.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种双栅极增强型氧化镓MESFET器件，包括衬底，衬底底部固定有漏极电极，衬底顶部两侧凹陷形成凹槽，凹槽底部固定有双栅极电极；两个凹槽之间为鳍型结构，鳍型结构顶部固定有源极电极。本发明使用Ga2O3作为晶圆衬底材料制作氧化镓垂直型MESFET，并结合鳍型结构形成鳍型Ga2O3MESFET，通过优化器件结构获得高击穿电压的长关型器件，实现高击穿电压的增强型Ga2O3MESFET。
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公开(公告)号：CN110323232A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910630970.2
申请日：2019-07-12
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/142 , H01L21/82
Abstract: 本申请提供了一种能量收集器及终端设备，其中，能量收集器包括：第一钝化层、互补金属氧化物半导体CMOS芯片和铜铟镓硒薄膜太阳能电池CIGS层；第一钝化层位于CMOS芯片上；CIGS层位于第一钝化层远离CMOS芯片的一侧；其中，第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离。本申请将CIGS层集成在CMOS芯片上，并利用第一钝化层将CMOS芯片和CIGS层进行隔离，防止CMOS芯片被CIGS层中的钠离子污染，且阻止了CIGS层作等离子处理时可能的发生的等离子体充电损伤，实现了利用太阳能电池CIGS对CMOS芯片的不间断供电，且确保CMOS芯片正常运行。
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