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公开(公告)号：CN117908620A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410074755.X
申请日：2024-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源芯片的带隙基准电路，属于集成电路设计领域，包括：自启动模块、一阶曲率补偿模块、零次方温漂模块、一次方温漂模块以及高阶曲率补偿模块。该电路采用高阶温度依赖项产生技术与电流模补偿模式，在保证宽工作温度范围的前提下，不仅能够显著降低传统一阶和低阶曲率补偿产生的较大温度漂移系数，而且具有高电源抑制比能力以满足恶劣工作环境，并且由于无需传统的运算放大器和电压偏置级等模块而具有很低的功耗，从而适合应用于需要集成带隙基准源的功率芯片中。本发明的带隙基准拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低温漂，低功耗以及高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的效率与稳定性。
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公开(公告)号：CN114217202A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111539696.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 湖南大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于多个电参数的IGBT模块键合线状态监测评估方法，基于多个电参数下的IGBT模块键合线状态监测评估模型，通过分析键合线的失效与电参数变化的关系，在搭建的实验平台的基础上测量键合线不同的失效状态下的导通压降、米勒平台电压、米勒平台电压持续时间、阈值电压，得到的数据集，利用BP神经网络建立的状态监测评估模型，可以达到92.31％的预测准确率。本发明为评估IGBT模块的健康状态提供了具有极高的参考价值。打破了单一变量监测键合线健康状态的局限性。
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公开(公告)号：CN113589128A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110905899.1
申请日：2021-08-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET功率模块的短路故障检测方法，该短路故障检测方法利用分压电路和积分电路得到SiC MOSFET的漏‑源电压及漏极电流的检测值，并输入乘法器模块，在乘法器模块中将漏‑源电压及漏极电流的检测值相乘，得到与瞬时功耗成比例的检测值，使用比较与触发保持模块将高速乘法器输出的瞬时功耗检测值与事先设定好的阈值进行比较，若检测值高于阈值，则输出故障信号。通本发明的短路故障检测方法，使得该SiC MOSFET能在不增加过多的硬件损耗和成本的基础上，可靠地在线判断电路是否发生了短路故障，以达到准确快速地保护器件的目的。
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公开(公告)号：CN110581694B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910929454.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于高电压隔离驱动芯片的高共态瞬模抗扰度滤波器。由发射端和接收端构成，其中接收端由差分式通道、四级高通RC滤波电路、差分射频放大器电路组成；其中差分式通道设计，可用于增强信号抗干扰性；四级高通RC滤波电路，信号在送入射频放大器之前，会经过四级高通RC滤波电路；差分射频放大器电路，输出单端信号用于接收端的解调电路。本发明解决了射频放大器节点电压过高的问题，实现了载波信号在干扰信号发生的情况下避免衰减过大的技术创新，同时由于四级高通滤波器会滤除因为周期性干扰产生的低频干扰，避免接收端解调电路误判的输出，从而实现很高的共态瞬模抗扰度指标。
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公开(公告)号：CN117878832A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410036992.7
申请日：2024-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源IC的过温保护电路，属于集成电路设计领域，包括：基准电流源模块、PTAT电流源模块、温度判决模块、温度感测模块以及迟滞比较器模块。该电路采用分温段触发模式和迟滞比较技术，在保证宽工作温度范围的同时，不仅能够显著降低传统过温保护在全温段下无差别工作产生的高功耗，而且可以有效避免在过温保护点附近因工艺波动或噪声等引发的误触发故障，并且还能解决因外部扰动导致功率管反复开关的问题，从而适合应用于需要集成过温保护功能的功率芯片中。本发明所述的过温保护电路拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低功耗与高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的寿命与稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116416492A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310271781.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 湖南大学
IPC: G06V10/774 , G06V10/40 , G06V10/82 , G06F16/535 , G06F16/583 , G06N3/0895 , G06N3/0455 , G06N3/047
Abstract: 本申请实施例公开了一种基于特征自适应的自动数据增广方法，其方法包括：构建训练集和验证集；使用增广操作构建增广策略搜索空间；训练集中的每张图像均对应有一增广策略搜索空间；在训练集的各图像对应的增广策略搜索空间中，使用基于贝叶斯优化的增广策略搜索框架循环搜索对应图像的增广策略，直至循环次数达到设定次数，得到各图像对应的最优的增广策略；建立神经网络模型；通过各图像对应的最优的增广策略增广训练集，得到增广后的训练集；根据增广后的训练集训练神经网络模型；通过验证集对训练后的神经网络模型进行测试，计算正确率，若符合要求，则将训练后的神经网络模型投入实际应用。其代替了传统的手工设计增广策略，省时省力。
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公开(公告)号：CN111393158A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010221059.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 湖南大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，特别涉及一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。所述微波介质陶瓷的化学表达式为：BaZn1-xMgxP2O7，其中0≤x≤0.06。其制备方法包括以下步骤：配料、球磨、烘干、过筛，于800℃预烧，再经二次球磨、烘干、造粒、成型，于870～930℃烧结。本发明制备的BaZn0.98Mg0.02P2O7陶瓷通过微量Mg2+离子取代Zn2+获得优异的微波介电性能，其介电常数为8.21，品质因数为84759GHz，谐振频率温度系数为-21.88ppm/℃。本发明制备工艺简单，原料价格低廉，在工业上具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114371194B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210032100.7
申请日：2022-01-12
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比例关系以及掺杂杂质能级与费米能级差为定值关系，计算解得初始电导曲线的表面势，从而能够算出初始的耗尽区宽度和掺杂杂质浓度，两者耗尽区宽度的差为此浓度距离界面的位置。随着栅极电压继续向深度耗尽区移动，基于第一条电导曲线的运算逻辑可以计算出其位置的掺杂浓度与分布，获得掺杂浓度随深度变化的曲线。本发明利用低温电(56)对比文件程佩红 等.Ge／Si 量子阱结构的C-V 特性的模拟《.半导体学报》.2008,第29卷(第1期),第110-115页.
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