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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730330A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510183321.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统，方法包括：实时监测SiC MOSFET的阈值电压；判断阈值电压是否发生漂移，若发生漂移，则启动动态电场修复操作：连接可调节电压输出的电源至SiC MOSFET的栅极，同时构建控制电路来精确控制电源输出电压的时序和幅值；根据阈值电压的漂移量，调整动态电场的参数，包括电场强度、频率和作用时间，直到阈值电压未发生漂移。本发明解决了碳化硅MOSFET容易产生阈值漂移、缺乏稳定性而影响器件性能、可靠性、寿命的问题，实现对器件的动态老化和劣化提供实时的修复。
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公开(公告)号：CN118972141A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411161651.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电信号的变流器系统网络攻击检测方法及系统，所述方法包括：获取历史稳态工况下的数据集和历史网络攻击数据集；根据所述稳态工况下的数据集计算的可信因子的周期性规律变化的最小值得到稳态可信边界；根据所述历史网络攻击数据集和灰色关联度方法筛选训练数据集，输入机器学习模型训练得到网络攻击类型检测模型；实时监测与采集变流器系统的三相电流信号和三相电压信号，计算可信因子，对比可信因子和稳态可信边界确定是否遭受网络攻击，若遭受则断开服务器脱离攻击源，并根据网络攻击类型检测模型实时判断网络攻击的类型。本发明解决了现有网络攻击检测难以兼顾检测实时性和检测准确率的问题。
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公开(公告)号：CN116780976A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311007475.9
申请日：2023-08-10
Applicant: 湖南大学
IPC: H02P27/06 , H02M3/157 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公布一种新型双向可升降压电流源型永磁电机驱动系统，其特征在于：主要包括电流源型逆变电路、双向直流斩波电路、采样电路和数字信号处理器。在直流电源与电感之间增加双向直流斩波电路，设计一种直流输入电流指令值的计算方法，在每个载波周期内，对直流输入电流进行实时采样，将采样值与指令值进行比较，针对永磁电机的电动与回馈两种运行状态，发明两种直流输入电流滞环控制方法。本发明实现过程简单，解决了传统电流源型逆变器不能降压与回馈的固有问题，能够在所有运行工况下实现直流输入电流的有效控制，为永磁电机提供高质量的电能输入。
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公开(公告)号：CN119730330B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510183321.8
申请日：2025-02-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态电场修复碳化硅MOS管阈值漂移的方法及系统，方法包括：实时监测SiC MOSFET的阈值电压；判断阈值电压是否发生漂移，若发生漂移，则启动动态电场修复操作：连接可调节电压输出的电源至SiC MOSFET的栅极，同时构建控制电路来精确控制电源输出电压的时序和幅值；根据阈值电压的漂移量，调整动态电场的参数，包括电场强度、频率和作用时间，直到阈值电压未发生漂移。本发明解决了碳化硅MOSFET容易产生阈值漂移、缺乏稳定性而影响器件性能、可靠性、寿命的问题，实现对器件的动态老化和劣化提供实时的修复。
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公开(公告)号：CN118100724A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242861.4
申请日：2024-03-04
Applicant: 泉州湖南大学工业设计与机器智能创新研究院
IPC: H02P21/13 , H02P21/20 , H02P25/026 , H02P27/08 , G06F17/11
Abstract: 本发明公开了一种永磁同步电机自抗扰控制方法及系统，包括：确定负载转矩，将负载转矩带来的扰动项补偿到自抗扰中，得到扰动补偿模型；对扩张状态观测器的扩张状态观测器参数进行调整，使得自抗扰控制的性能满足性能评价标准，得到调整后的扩张状态观测器；利用扰动补偿模型以及调整后的扩张状态观测器，计算得到电流指令。本发明能够基于负载转矩补偿及扩张状态观测器参数在线修正，减小扰动观测负担并提高在各种扰动下的观测精度。
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