公开(公告)号：CN111883693A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010729278.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 湖北工业大学

Inventor： 周远明 ,  冯俊杰 ,  梅思炯 ,  梅菲 ,  孙东伟 ,  刘能 ,  王豪杰 ,  张珂

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物空穴注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法，方法包括：(1)清洗阳极基底；(2)制备氧化物空穴注入层；(3)制备空穴传输层；(4)制备钙钛矿发光层；(5)制备电子传输层；(6)制备电子注入层；(7)制备阴极。本发明引入氧化物空穴注入层，该结构可以增加器件空穴载流子的注入，匹配载流子的传输，增加发光层中激子数目，提高激子辐射复合的几率，大幅提高发光二极管的发光亮度(599cd/m2→1010cd/m2，增幅68.6％)、电流效率(0.403cd/A→0.624cd/A，增幅54.8％)外量子效率(0.062％→0.097％，增幅56.5％)等性能。本发明提供的工艺方法简单，重复性好，方便操作，可以有效提高钙钛矿LED器件的光电性能。