一种基于氧化物空穴注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111883693A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010729278.8

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物空穴注入层的钙钛矿发光二极管及其制备方法,方法包括:(1)清洗阳极基底;(2)制备氧化物空穴注入层;(3)制备空穴传输层;(4)制备钙钛矿发光层;(5)制备电子传输层;(6)制备电子注入层;(7)制备阴极。本发明引入氧化物空穴注入层,该结构可以增加器件空穴载流子的注入,匹配载流子的传输,增加发光层中激子数目,提高激子辐射复合的几率,大幅提高发光二极管的发光亮度(599cd/m2→1010cd/m2,增幅68.6%)、电流效率(0.403cd/A→0.624cd/A,增幅54.8%)外量子效率(0.062%→0.097%,增幅56.5%)等性能。本发明提供的工艺方法简单,重复性好,方便操作,可以有效提高钙钛矿LED器件的光电性能。

    多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN109904334A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201910188911.4

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 本发明提供多层有机-无机杂化钙钛矿发光二极管及其制备方法,方法包括:步骤1.将ITO导电玻璃清洗后烘干作为阳极基底;步骤2.在阳极基底上滴加PEDOT:PSS溶液,旋涂,然后退火,得到空穴传输层;步骤3.制备甲胺溴铅前驱体溶液;步骤4.将前驱体溶液旋涂在空穴传输层上,退火,得到第一钙钛矿层;增加转速,在第一层顶部旋涂,退火,得到第二钙钛矿层;依次增加转速,逐层进行旋涂和退火处理,获得包含至少三层钙钛层的钙钛矿发光层;步骤5.在高真空下,于钙钛矿发光层的上方蒸镀TPBI,得到电子传输层;步骤6.在高真空下,于电子传输层上热蒸发沉积一定厚度的电子注入层;步骤7.于电子注入层上蒸镀一定厚度的阴极。

    蓝光OLED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110739407A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910958541.8

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 公开了一种蓝光OLED器件及其制备方法,所述蓝光OLED器件空穴传输层(3)材料选用NPB或TAPC或CBP或MoO3,电子传输层(5)材料选用TPBi或Bphen,发光层(4)由mCP掺杂BCzVBi构成,掺杂浓度为20wt.%。本公开的所述蓝光OLED器件,通过匹配不同电荷传输层材料,显著优化了载流子地注入和传输,使发光层内空穴和电子数量趋于平衡,从而有效提高了器件的电流效率、亮度等性能。本公开的所述蓝光OLED器件具备制备工艺简单、成本低廉等特点,对提高蓝光OLED器件性能具有实际借鉴意义。

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