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公开(公告)号：CN102914394A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210404330.8
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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公开(公告)号：CN102914394B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210404330.8
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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公开(公告)号：CN202853817U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220541804.9
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种MEMS隧道磁阻高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起隧道磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化影响到外电路的输出电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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公开(公告)号：CN202853815U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220541716.9
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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公开(公告)号：CN113847996A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111114273.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了氮化镓温度传感器及其制备方法和应用。其中，该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上，所述阳极不与所述阴极接触。该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率、高温等应用场景的测温需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113745326B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202111181294.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了氮化镓压力传感器及其制备方法，所述氮化镓压力传感器包括：第一衬底、第二衬底、外延结构、源极、漏极、栅极和凹槽，所述源极、所述漏极和所述栅极位于所述外延结构远离所述第二衬底的一侧，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极相对的两侧，所述栅极的数量为大于等于2的正整数，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域。由此，本发明的氮化镓压力传感器具有两个以上的栅极，通过在栅极上施加电压调控沟道宽度，实现了沟道宽度的调控，可以对氮化镓压力传感器的检测范围、精度以及灵敏度等进行二次调整优化，扩大了工艺制备窗口，扩展了压力传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN113745326A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111181294.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01L1/16
Abstract: 本发明公开了氮化镓压力传感器及其制备方法，所述氮化镓压力传感器包括：第一衬底、第二衬底、外延结构、源极、漏极、栅极和凹槽，所述源极、所述漏极和所述栅极位于所述外延结构远离所述第二衬底的一侧，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极相对的两侧，所述栅极的数量为大于等于2的正整数，所述源极和所述漏极之间具有沟道区域。由此，本发明的氮化镓压力传感器具有两个以上的栅极，通过在栅极上施加电压调控沟道宽度，实现了沟道宽度的调控，可以对氮化镓压力传感器的检测范围、精度以及灵敏度等进行二次调整优化，扩大了工艺制备窗口，扩展了压力传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN118050410A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410039141.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器及其制备方法和应用。金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器包括：衬底和外延结构，外延结构包括GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层，GaN缓冲层位于衬底的一侧，GaN沟道层位于GaN缓冲层远离衬底的一侧，AlGaN势垒层位于GaN沟道层远离衬底的一侧，GaN帽层位于AlGaN势垒层远离衬底的一侧；金栅，金栅位于AlGaN势垒层远离衬底的部分表面上，或者，金栅位于GaN帽层远离衬底的部分表面上；漏极和源极，漏极和源极位于GaN帽层远离衬底的一侧，金栅在衬底上的正投影位于漏极在衬底上的正投影和源极在衬底上的正投影之间；钝化层；保护层，保护层覆盖钝化层远离衬底的至少部分表面。该传感器可以用于测量溶液的pH值，并且，具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN113686468A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110960366.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明公开了压致势垒变化式氮化镓压力传感器及其制备方法。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器包括：第一衬底和外延结构，外延结构包括依次形成在第一衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层；其中，AlGaN势垒层具有第一凹槽，第一凹槽内形成有欧姆接触层，欧姆接触层与AlN插入层和GaN沟道层界面处的二维电子气连通形成下电极；GaN帽层的至少部分上表面形成有上电极；以及钝化层，钝化层覆盖外延结构的至少部分上表面。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器可以在无外接驱动电压的情况下，直接根据上电极、下电极间电势差测量得到外部压力的变化，即在无外接驱动电压下实现对外部压力变化的零功耗检测。
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公开(公告)号：CN113686468B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110960366.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明公开了压致势垒变化式氮化镓压力传感器及其制备方法。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器包括：第一衬底和外延结构，外延结构包括依次形成在第一衬底上的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层；其中，AlGaN势垒层具有第一凹槽，第一凹槽内形成有欧姆接触层，欧姆接触层与AlN插入层和GaN沟道层界面处的二维电子气连通形成下电极；GaN帽层的至少部分上表面形成有上电极；以及钝化层，钝化层覆盖外延结构的至少部分上表面。该压致势垒变化式氮化镓压力传感器可以在无外接驱动电压的情况下，直接根据上电极、下电极间电势差测量得到外部压力的变化，即在无外接驱动电压下实现对外部压力变化的零功耗检测。
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