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公开(公告)号：CN104787720B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510195086.2
申请日：2015-04-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及一种基于石墨烯的纳米线阵列的制备方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。
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公开(公告)号：CN104909336B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201510194994.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。
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公开(公告)号：CN104909336A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510194994.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及一种基于金属电极的纳米线阵列的生长方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；所述电极A为溅射得到的金属电极，所述电极B为溅射得到的金属电极；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。
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公开(公告)号：CN104787720A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510195086.2
申请日：2015-04-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于微电子工艺领域和仪器仪表技术领域，特别涉及一种基于石墨烯的纳米线阵列的制备方法。本发明方法步骤包括：步骤1，在多孔模板两侧分别制作电极A和电极B，其中电极B需确保不会堵塞多孔模板的孔洞；步骤2，电极A和电极B分别与电源相连，并浸入装有电解液的溶液槽中，直至生长出均匀的纳米线阵列。相比于采用化学机械抛光来保证纳米线长度的一致性的方法，本发明方法对于纳米线的长度控制更加简单易行，不再需要抛光工艺介入。同时，本发明所提供的工艺途径避免了抛光过程对多孔模板的损伤，有利于良品率的提高。
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