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公开(公告)号：CN101952221A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880122242.0
申请日：2008-11-04
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/553 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/14 , C03C3/062 , C03C3/112 , C03C10/16 , C03C12/00 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , H01B3/12 , H01G4/1209
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷粉及其专用原料与应用。该陶瓷粉的原料包括：20-80质量份的SiO2、10-50质量份的AlF3和0～30质量份的调节剂。本发明将制备陶瓷粉的原料混匀粉碎后，在1200～1400℃下熔制成液态玻璃，淬火，得到陶瓷粉。本发明的低温共烧陶瓷粉具有以下优点：(1)烧结温度低(750-850℃)，烧结收缩率可控；(2)用该陶瓷粉制备的陶瓷块体的介电常数在4.5～10(1MHz)之间可调，介电损耗在0.002以下；机械强度高，制备工艺简单；(3)可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装。
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公开(公告)号：CN101242021A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810056856.5
申请日：2008-01-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于磁性材料的磁场负磁导率材料电磁响应行为调控方法属人工周期性材料领域。本发明步骤：通过理论计算或者计算机软件模拟，设计所需频段的开口谐振环；制备开口谐振环，并按照一定晶格排列成为负磁导率材料；将磁导率在负磁导率材料发生电磁谐振的频段、磁场可调的磁性材料加工成片状或棒状；将磁性材料引入到开口谐振环阵列的间隙当中或作为开口谐振环基板，制备得到引入磁性材料的开口谐振环负磁导率材料；通过磁铁或电磁铁向上述引入了磁性材料的负磁导率材料施加垂直于开口谐振环所在平面法线与电磁波传播方向构成平面的不同强度磁场，得到磁场可调负磁导率材料。本发明能大范围内调控负磁导率材料的电磁响应行为，并使负磁导率频段拓宽。
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公开(公告)号：CN101215157A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056019.2
申请日：2008-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/553 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/14 , C03C3/062 , C03C3/112 , C03C10/16 , C03C12/00 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , H01B3/12 , H01G4/1209
Abstract: 本发明涉及一种掺氟硅铝玻璃基低温共烧陶瓷材料及其制备方法。本发明是将20～80wt％的SiO2、10～50wt％的AlF3和0～30wt％的调节剂按比例混合后，加入乙醇，研磨后烘干，在1300～1400℃下熔制成液态玻璃，淬火、粉碎后过筛得到玻璃粉，加入乙醇或水，球磨24～48小时，干燥后得到该低温共烧陶瓷材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低(750－850℃)，烧结收缩率可控；(2)介电常数在5～8(1MHz)之间可调，介电损耗在0.002以下；(3)机械强度高，制备工艺简单；(4)可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN101215157B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810056019.2
申请日：2008-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/553 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/14 , C03C3/062 , C03C3/112 , C03C10/16 , C03C12/00 , C04B35/553 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , H01B3/12 , H01G4/1209
Abstract: 本发明涉及一种掺氟硅铝玻璃基低温共烧陶瓷材料及其制备方法。本发明是将20～80wt％的SiO2、10～50wt％的AlF3和0～30wt％的调节剂按比例混合后，加入乙醇，研磨后烘干，在1300～1400℃下熔制成液态玻璃，淬火、粉碎后过筛得到玻璃粉，加入乙醇或水，球磨24～48小时，干燥后得到该低温共烧陶瓷材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点：(1)烧结温度低(750-850℃)，烧结收缩率可控；(2)介电常数在5～8(1MHz)之间可调，介电损耗在0.002以下；(3)机械强度高，制备工艺简单；(4)可以应用于陶瓷基板，谐振器等电子器件以及其他微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN100553031C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710176728.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板，铁电陶瓷颗粒和温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150218A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710176728.X
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于铁电陶瓷颗粒的温度可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由多块层叠的聚四氟乙烯模板，铁电陶瓷颗粒和温控装置组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用温度对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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公开(公告)号：CN101150217A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710176727.5
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于铁电陶瓷颗粒的电场可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由两块平行设置的金属电极板，设置在两电极板间的多块层叠的聚四氟乙烯模板、铁电陶瓷颗粒和直流电源组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用电场对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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公开(公告)号：CN1461019A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03143101.1
申请日：2003-06-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01F21/00
Abstract: 本发明公开了属于电子之器件的一种新型铁氧体可调片式电感器，该可调片式电感器由多层铁氧体作成介质薄膜，并且每层膜上印刷有至少两组均不闭合的导电线圈，每一组线圈都与相邻层中相对应位置的不闭合线圈相连接。整个器件中的导电线圈至少由两套组成，并且导电线圈之间没有连接。该可调片式电感器的电感量随着控制电流的变化而呈线性变化，同时Q值有所增加。将本发明的可调片式电感应用于滤波器、压控振荡器(VCO)等，可以大大减小相关器件的尺寸，提高器件性能的稳定性和可靠性。同时，本发明所提出的可调片式电感器件具有电感量调节范围大、电调速度高、使用频带宽等优点。该发明所提出的器件可广泛应用于各种需要使用可调电感器的场合，有着广阔的应用和市场前景。
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公开(公告)号：CN101242021B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810056856.5
申请日：2008-01-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于磁性材料的磁场负磁导率材料电磁响应行为调控方法属人工周期性材料领域。本发明步骤：通过理论计算或者计算机软件模拟，设计所需频段的开口谐振环；制备开口谐振环，并按照一定晶格排列成为负磁导率材料；将磁导率在负磁导率材料发生电磁谐振的频段、磁场可调的磁性材料加工成片状或棒状；将磁性材料引入到开口谐振环阵列的间隙当中或作为开口谐振环基板，制备得到引入磁性材料的开口谐振环负磁导率材料；通过磁铁或电磁铁向上述引入了磁性材料的负磁导率材料施加垂直于开口谐振环所在平面法线与电磁波传播方向构成平面的不同强度磁场，得到磁场可调负磁导率材料。本发明能大范围内调控负磁导率材料的电磁响应行为，并使负磁导率频段拓宽。
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公开(公告)号：CN100553030C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710176727.5
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 基于铁电陶瓷颗粒的电场可调谐负磁导率器件及制备方法，该器件由两块平行设置的金属电极板，设置在两电极板间的多块层叠的聚四氟乙烯模板、铁电陶瓷颗粒和直流电源组成；每块聚四氟乙烯模板上设有圆孔阵列，铁电陶瓷颗粒嵌入圆孔内。该器件能使电磁波在某一频段发生很强的磁谐振，并且在磁谐振附近具有各向同性负磁导率效应，利用电场对铁电陶瓷颗粒介电常数的调节特性来实现其负磁导率的可调控性。本发明为左手材料赋予了智能特性，并将应用于可调带通滤波器、可调负折射率平板透镜、可调隐身器件等光电器件和通讯领域。
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