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公开(公告)号：CN117949431A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410096176.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/65 , G06F18/15 , G06F18/213
Abstract: 本申请涉及一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置，方法包括：对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，施加电应力至HEMT器件的当前测量位置，并在预设时间间隔后获得当前测量位置在施加电应力后的拉曼光谱特征峰值，且基于拉曼光谱特征峰值确定当前测量位置的拉曼光谱特征峰偏移量；改变待测HEMT器件的测量位置，得到待测HEMT器件的多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量；根据多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与电应力计算多个位置的电场强度，基于多个位置的电场强度得到待测HEMT器件的缺陷浓度和缺陷分布。由此，解决了现有的缺陷测量方法尚不能实现HEMT器件缺陷分布和浓度的高空间分辨率测量的问题。
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