公开(公告)号：CN1769545A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410088422.5

申请日：2004-11-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 张政军 ,  苏新

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为乙酸锌。制备时，首先将镀有氧化锌薄膜的硅基底固定于反应容器之上，反应容器里盛有一定的量的乙酸锌，然后把反应容器置于管式炉中央的等温区。设定反应温度，然后启动管式炉升温至设定温度并保温一定时间，最后关闭管式炉，让样品随炉冷却到一定温度。此方法使用价格低廉的乙酸锌作为反应物，创造性地实现了在250℃低温并且不使用催化剂的条件下，在镀有氧化锌薄膜的硅基底上直接生长定向准直氧化锌纳米棒的阵列。在制造纳米电子器件和优良的光致发光和电致发光的半导器件等方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1333117C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410088422.5

申请日：2004-11-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 张政军 ,  苏新

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种在硅基底上直接生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法。所用方法为化学气相沉积法，原料为乙酸锌。制备时，首先将镀有氧化锌薄膜的硅基底固定于反应容器之上，反应容器里盛有一定的量的乙酸锌，然后把反应容器置于管式炉中央的等温区。设定反应温度，然后启动管式炉升温至设定温度并保温一定时间，最后关闭管式炉，让样品随炉冷却到一定温度。此方法使用价格低廉的乙酸锌作为反应物，创造性地实现了在250℃低温并且不使用催化剂的条件下，在镀有氧化锌薄膜的硅基底上直接生长定向准直氧化锌纳米棒的阵列。在制造纳米电子器件和优良的光致发光和电致发光的半导器件等方面具有广泛的应用前景。