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公开(公告)号：CN109297622B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201811326761.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。
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公开(公告)号：CN109297622A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811326761.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1-10层；本发明采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。
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公开(公告)号：CN209446198U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201821836232.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1-10层；本实用新型采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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