公开(公告)号：CN113526458B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202010299877.0

申请日：2020-04-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 龙桂鲁 ,  胡蕴琪 ,  杨宏 ,  王敏 ,  王涛 ,  毛璇 ,  谢冉冉 ,  梁敬淯 ,  秦国卿

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/30

Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。

公开(公告)号：CN113526458A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010299877.0

申请日：2020-04-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 龙桂鲁 ,  胡蕴琪 ,  杨宏 ,  王敏 ,  王涛 ,  毛璇 ,  谢冉冉 ,  梁敬淯 ,  秦国卿

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/30

Abstract: 一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法，步骤如下：取一片硅片，硅片表面为二氧化硅氧化层，使用光刻和氢氟酸刻蚀的方法，在硅片表面得到覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形；其次使用氢氟酸‑硝酸混合溶液作为刻蚀溶液对得到的覆盖有光刻胶的二氧化硅圆盘图形进行湿法刻蚀，得到微盘腔；最后将微盘腔表面光刻胶去除，并使用激光器对其进行热回流，完成微芯环腔的制备。本发明使用氢氟酸‑硝酸刻蚀替代了制备流程中的干法刻蚀，提高了各向同性，使得该刻蚀方法适用于超高品质微芯环腔的制备，在1550nm波段实现了108以上的品质因子，这与相关报道中的品质因子相当。本发明同时还具备成本低、刻蚀设备简单、维护容易、对温湿度鲁棒性好等优点。