公开(公告)号：CN107138372B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201710260877.8

申请日：2017-04-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢志鹏 ,  孙思源 ,  葛一瑶 ,  田兆波 ,  张杰

IPC: B05D5/06 ,  B05D3/04 ,  H01L31/0216

Abstract: 一种通过表面结晶改善二氧化硅光学特性的方法，包含以下步骤：(1)将化学改性后的纳米二氧化硅溶胶颗粒均匀涂于硅片上；(2)将步骤(1)中涂有二氧化硅的硅片在炉子中进行高压惰性气体热处理，热处理温度为100‑1800℃，气体压力为0.1‑6MPa，热处理时间为1‑10h，得到颗粒表面部分结晶的均匀二氧化硅膜层。经过高压惰性气氛快速升降温热处理的二氧化硅膜层，光学特性有所改善，折射率提高且连续可调，可作为太阳能电池梯度折射率减反层的理想材料。该膜层的制备工艺简单，原料成本低，有利于实现大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN109982965A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780056369.6

申请日：2017-09-13

Applicant: 罗杰斯公司 ,  清华大学

Inventor： 仲洋 ,  刘磊 ,  姜晶 ,  张莉 ,  陈克新 ,  田兆波 ,  葛一瑶

IPC: C01B21/064 ,  C09K5/08 ,  H01L23/34

Abstract: 在一个实施方案中，用于制备膨胀六方氮化硼的方法包括：将硼化合物和碳模板混合在有机溶剂中；除去所述有机溶剂以提供所述硼化合物和所述碳模板的干燥混合物；在有效地提供包含六方氮化硼的粗制产物的条件下将所述干燥混合物暴露于含氮气体；从所述粗制产物中除去所述碳模板以提供所述膨胀六方氮化硼。

公开(公告)号：CN106744998A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710031011.X

申请日：2017-01-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢志鹏 ,  孙思源 ,  葛一瑶 ,  田兆波 ,  张杰

IPC: C01B33/145 ,  C01B33/12

CPC classification number: C01B33/145 ,  C01B33/126 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种粒度可控的非晶单分散纳米二氧化硅粉体的制备方法，属于无机非金属粉末材料领域。具体步骤为：在甲醇溶剂中，选用含硅有机物作为硅源，利用氨水催化的Stober法合成二氧化硅溶胶，经陈化后得到二氧化硅凝胶。将获得的凝胶进行冷冻干燥，得到二氧化硅粉体。将粉体与乙醇混成浆料，球磨1‑24h，并在50℃烘箱中干燥即得到粒度在10‑100nm范围内单分散的非晶纳米二氧化硅粉体。该二氧化硅粉体的制备工艺简单，原料成本低，有利于实现大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN107138372A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710260877.8

申请日：2017-04-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢志鹏 ,  孙思源 ,  葛一瑶 ,  田兆波 ,  张杰

IPC: B05D5/06 ,  B05D3/04 ,  H01L31/0216

CPC classification number: B05D5/063 ,  B05D3/0473 ,  B05D2203/30 ,  H01L31/02168

Abstract: 一种通过表面结晶改善二氧化硅光学特性的方法，包含以下步骤：(1)将化学改性后的纳米二氧化硅溶胶颗粒均匀涂于硅片上；(2)将步骤(1)中涂有二氧化硅的硅片在炉子中进行高压惰性气体热处理，热处理温度为100‑1800℃，气体压力为0.1‑6MPa，热处理时间为1‑10h，得到颗粒表面部分结晶的均匀二氧化硅膜层。经过高压惰性气氛快速升降温热处理的二氧化硅膜层，光学特性有所改善，折射率提高且连续可调，可作为太阳能电池梯度折射率减反层的理想材料。该膜层的制备工艺简单，原料成本低，有利于实现大规模工业化生产。