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公开(公告)号：CN118734768B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411232501.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体器件的热设计方法、装置、设备及介质，该方法包括：基于器件的待定结构信息得到器件的模型；划分出待设计器件的模型中的近结区域和宏观区域；配置近结区域和宏观区域各自的热仿真参数和限制条件；基于器件的待定结构信息、热仿真参数和限制条件，在待设计器件的模型中进行热仿真模拟过程，在近结区域和宏观区域之间的交界处的温度满足条件时，得到待设计器件的热阻值，能够准确地预测器件的温度场，并有效地进行器件本身的结构设计，从而达到降低器件内部热阻的目的。
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公开(公告)号：CN117672437A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410141059.6
申请日：2024-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热仿真技术领域，提供一种基于声子蒙特卡洛模拟的热仿真方法及相关组件，该方法包括：根据待仿真的几何体结构，确定仿真模型的几何区域、材料属性和边界条件类型；设定在几何区域内部的热源分布、仿真类型和仿真所需的声子数量；根据仿真类型调用声子跟踪算法，确定几何区域内部的声子分布；根据声子分布，得到器件的温度场和热流场分布。本发明基于声子蒙特卡洛模拟的传热建模，可以实现多种纳米结构内部的声子输运过程模拟，具有较强的可推广性和通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117672437B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410141059.6
申请日：2024-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热仿真技术领域，提供一种基于声子蒙特卡洛模拟的热仿真方法及相关组件，该方法包括：根据待仿真的几何体结构，确定仿真模型的几何区域、材料属性和边界条件类型；设定在几何区域内部的热源分布、仿真类型和仿真所需的声子数量；根据仿真类型调用声子跟踪算法，确定几何区域内部的声子分布；根据声子分布，得到器件的温度场和热流场分布。本发明基于声子蒙特卡洛模拟的传热建模，可以实现多种纳米结构内部的声子输运过程模拟，具有较强的可推广性和通用性。
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公开(公告)号：CN118734768A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411232501.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种半导体器件的热设计方法、装置、设备及介质，该方法包括：基于器件的待定结构信息得到器件的模型；划分出待设计器件的模型中的近结区域和宏观区域；配置近结区域和宏观区域各自的热仿真参数和限制条件；基于器件的待定结构信息、热仿真参数和限制条件，在待设计器件的模型中进行热仿真模拟过程，在近结区域和宏观区域之间的交界处的温度满足条件时，得到待设计器件的热阻值，能够准确地预测器件的温度场，并有效地进行器件本身的结构设计，从而达到降低器件内部热阻的目的。
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公开(公告)号：CN117688783B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410141055.8
申请日：2024-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及微电子工程技术领域，提供一种晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备，其中的方法包括：基于漂移扩散模型对待仿真器件进行恒定温度下的电学仿真，得到第一电学特性参数；根据第一电学特性参数，获取待仿真器件内部的热源分布；根据待仿真器件内部的热源分布，对待仿真器件进行声子蒙特卡洛模拟，得到待仿真器件内部的温度分布；基于待仿真器件内部的温度分布，对待仿真器件再次进行电学仿真，得到第二电学特性参数；在第一电学特性参数与第二电学特性参数满足预设条件的情况下，导出待仿真器件内部的热源分布。该方法能够捕捉声子输运特性，获取精确地的温度场，还能够精确地获取晶体管内的产热分布，更好地反映晶体管的自热效应。
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公开(公告)号：CN113343455A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110601352.2
申请日：2021-05-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F16/21 , G06F17/18 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明实施例公开了一种构建用于RP‑3航空煤油的物性计算模型的方法，其包括：第1步：根据所述RP‑3航空煤油的密度、粘度、比热容、热导率四种物性，分别对初始替代模型进行优化得到密度替代模型、粘度替代模型、比热容替代模型、导热率替代模型；第2步：基于优化后的所述密度替代模型，添加第一组分至优化后的所述密度替代模型中，用于所述密度模拟值的修正；基于优化后的所述粘度替代模型，添加第二组分至优化后的所述粘度替代模型中，用于所述粘度模拟值的修正；基于优化后的所述比热容替代模型，在所述比热容替代模型计算结果上，引入数值对所述比热容的模拟值进行修正。
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公开(公告)号：CN117688783A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410141055.8
申请日：2024-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及微电子工程技术领域，提供一种晶体管自热效应仿真方法、装置及电子设备，其中的方法包括：基于漂移扩散模型对待仿真器件进行恒定温度下的电学仿真，得到第一电学特性参数；根据第一电学特性参数，获取待仿真器件内部的热源分布；根据待仿真器件内部的热源分布，对待仿真器件进行声子蒙特卡洛模拟，得到待仿真器件内部的温度分布；基于待仿真器件内部的温度分布，对待仿真器件再次进行电学仿真，得到第二电学特性参数；在第一电学特性参数与第二电学特性参数满足预设条件的情况下，导出待仿真器件内部的热源分布。该方法能够捕捉声子输运特性，获取精确地的温度场，还能够精确地获取晶体管内的产热分布，更好地反映晶体管的自热效应。
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