公开(公告)号：CN116322287A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310128232.4

申请日：2023-02-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  胡若飞 ,  席悦 ,  江之行 ,  陆禹尧 ,  高滨 ,  钱鹤 ,  吴华强

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器，包括：第一电极；阻变层，阻变层设置在第一电极的一侧，阻变层包括阻变层材料和亚硝酸根离子；第二电极，第二电极设置在阻变层的远离第一电极的一侧，第二电极与第一电极的带电性相反。由此，本申请通过向阻变层中添加亚硝酸根离子，无需降低阻变层厚度就可以实现较小的形成电压，较大的开关比和较大的耐久性。

公开(公告)号：CN119562755A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411431370.0

申请日：2024-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  江之行 ,  席悦 ,  高滨 ,  钱鹤 ,  吴华强

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本申请涉及一种阻变存储器的处理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：判断是否存在阻变存储器处理需求；若存在阻变存储器处理需求，则对待理处阻变存储器进行正向Forming操作得到正向处理后的阻变存储器，若正向处理后的阻变存储器的电导大于或等于第一预设电导阈值，则重复施加第一RESET脉冲至正向处理后的阻变存储器，直至正向处理后的阻变存储器的电导小于第一预设电导阈值，得到反向处理后的阻变存储器；重复施加第二RESET脉冲至反向处理后的阻变存储器，直至反向处理后的阻变存储器的电导大于第二预设电导阈值，得到目标阻变存储器。由此，解决编程后的目标存储器容易产生驰豫现象的问题，增强编程后阻变存储器电导状态的稳定性。

公开(公告)号：CN117672304A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311387757.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 唐建石 ,  江之行 ,  席悦 ,  高滨 ,  钱鹤 ,  吴华强

IPC: G11C13/00

Abstract: 本申请涉及一种阻变存储器的操作类型判定方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：基于阻变存储器中电导的当前电导值与目标电导值，计算电导的电导差值；获取阻变存储器的历史操作类型，根据电导差值和历史操作类型查询电导的预设状态转移表，确定阻变存储器的当前操作类型；若当前操作类型为ORR操作类型或RST操作类型，则以预设降低策略调整当前电导值，若当前操作类型为DLY操作类型，则不对当前电导值进行调整，若当前操作类型为SET操作类型，则以预设增加策略调整阻变存储器的当前电导值。由此，解决了现有技术并未考虑不同的操作对器件本身稳定性的影响，且无法同时保证编程后器件的稳定性和编程效率等问题。