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公开(公告)号：CN115575729A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211254462.7
申请日：2022-10-13
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本公开涉及一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质。所述方法，包括：获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系；获取扫描近场光学显微镜的仪器常数；根据仪器常数和第一线性关系，得到待测样品上任一待测点的第一线性系数；根据入射到待测样品的实际入射电场和所述待测点的第一线性系数，得到所述实际入射电场下所述待测点的重构近场电场，作为所述待测点的近场电场定量测量结果。该过程将体现待测样品第一测量区域的入射电场和近场电场关系的第一线性关系，与体现针尖‑样品耦合对待测样品表面的近场电场的影响的仪器常数结合，实现了待测样品表面的近场电场的重构，提高了待测样品表面的近场电场的定量测量的准确度。
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公开(公告)号：CN110359024A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910665983.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于痕量有机物检测技术领域，涉及一种可以同时大批量制备表面增强拉曼基底的基片台，其可用于大批量制备表面增强拉曼基底。所述基片台包括环状体及其支撑架，所述环状体上设置多个锥形体，所述锥形体的两个表面粘贴多个基片。本发明的基片台，可以采用倾斜生长法同时在多个基片上沉积银纳米棒。由多基片银纳米棒构成的阵列薄膜，具有较好的产品一致性，可以提高传统制备方法的生产效率。
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公开(公告)号：CN118897100A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411088463.8
申请日：2024-08-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本公开涉及电场测量技术领域，包括直接定量测量近场电场强度的方法、装置及存储介质。通过控制散射式扫描近场光学显微镜的针尖在待测样品表面的测试点上方，沿垂直于待测样品表面的第一方向移动，得到各个移动位置对应的第一测量结果；基于第一测量结果确定第一渐进曲线和第二渐进曲线；基于第一渐进曲线确定针尖的振动平衡位置；基于第二渐进曲线确定针尖的等效几何形状的形状参数；控制针尖在平行于待测样品表面的第二方向上移动，得到第二测量结果；基于第二测量结果、形状参数、振动平衡位置和电场强度测量模型，确定待测样品表面的近场电场强度；实现直接得到待测样品表面的近场电场强度分布，从而实现两次扫描结果之间的电场强度比较。
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公开(公告)号：CN110331374A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910664729.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可以同时大批量制备表面增强拉曼基底的样品台，用于大批量制备表面增强拉曼基底，属于痕量有机物检测技术领域。所述样品台包括支撑部分和凸台形圆环，所述凸台形圆环的上方直径大于底部直径，所述凸台的表面呈圆弧形状。本发明的样品台，可以采用倾斜生长法同时在多个基片上沉积银纳米棒。由多基片银纳米棒构成的阵列薄膜，具有较好的产品一致性，可以提高传统制备方法的生产效率。
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