采用超快脉冲激光对金属材料非晶化处理的方法及系统

    公开(公告)号:CN111926174B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202010735271.7

    申请日:2020-07-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种采用超快脉冲激光对金属材料非晶化处理的方法及系统,属于超快脉冲激光应用技术领域。首先将超快激光脉冲序列通过物镜聚焦到水中的金属晶体上,通过调控入射到金属晶体的超快激光脉冲个数、能量通量,使金属晶体的超快脉冲激光辐照区域熔化,并快速冷却淬火,从而制备非晶金属。本发明的方法和系统,通过调节精密衰减轮,严格控制入射到金属晶体材料中的单脉冲能量,使金属快速熔化及快速冷却,因此可以实现非晶化程度的控制。本发明的金属冷却速度可达到1012~1013K/s,比常规加工手段的冷却速度更快,为实现金属的非晶化提供了一种新的方法及相关系统。本发明方法更优化了材料的力学性能及耐腐蚀性,使非晶单种金属具有更广泛的应用前景。

    一种振动细胞转染显微观察平台
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115406892A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211242155.7

    申请日:2022-10-11

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种振动细胞转染显微观察平台,包括载物模块、振动模块和观察模块,载物模块包括底板和安装在底板上的载物台,振动模块和观察模块均设置在底板上。振动模块包括驱动电机和通过偏心转轴与驱动电机连接的样品台,样品台用于放置微流控芯片。模块包括显微镜筒、装配在观察镜上方的高速相机和位于观察镜下方的光源。驱动电机高速转动,通过偏心转轴带动样品台做往复运动,使微流控芯片随着样品台发生运动;通过调节镜筒高度寻找适宜成像的焦平面;通过光源为高速相机照明;高速相机收集信号,以此清晰记录微流控芯片的流道形貌及其内部细胞运动状态和轨迹,从而实现细胞微观力学行为的运动情况精确观测。

    基于抗原抗体快速检测的磁控芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN115236326A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210880921.6

    申请日:2022-07-25

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请公开了一种基于抗原抗体快速检测的磁控芯片及其制备方法。基于抗原抗体快速检测的磁控芯片包括芯片上板、芯片下板、以及成型于所述芯片上板和所述芯片下板之间的流道,所述芯片上板上设有供磁标记抗原抗体修饰溶液流入所述流道的流道入口、以及与所述流道的出口端连通的储液区;所述芯片上板和/或所述芯片下板上设有与所述流道位置对应设置的磁体捕获结构,所述磁体捕获结构适于捕获流经所述流道的磁标记抗原抗体修饰溶液中的磁珠并富集于所述流道上。由于设置有磁体捕获结构,可捕获流经所述流道的磁标记抗原抗体修饰溶液中的磁珠并富集于所述流道上,可提高捕获效率,进而提高检测的灵敏性。

    一种利用脉冲激光控制药物释放的方法及系统

    公开(公告)号:CN111840550A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010735260.9

    申请日:2020-07-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种利用脉冲激光控制药物释放的方法及系统,属于脉冲激光应用技术领域。本发明使用的溶液包括琼脂糖水凝胶载体、抗癌药物和负载在水凝胶载体中的黑磷光敏剂,将抗癌药物封装入载有黑磷光敏剂的琼脂糖水凝胶中。本发明系统提供的780~1100nm近红外脉冲激光使黑磷光敏剂发生光热反应,实现水凝胶从凝胶状态到溶胶状态的转变,从而实现药物的释放过程。脉冲激光的单脉冲能量可控,辐照的空间精度高,因此本发明提出的一种利用脉冲激光控制药物释放的方法及系统能够精准控制药物的释放位置;通过控制脉冲激光的激光能量和脉冲个数,实现药物释放量的精确控制,具有很高的临床价值。

    细胞表型分析芯片、制备方法及细胞类型识别方法

    公开(公告)号:CN118237093A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410308343.8

    申请日:2024-03-18

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种细胞表型分析芯片、制备方法及细胞类型识别方法,应用于磁泳技术领域,细胞表型分析芯片制备方法包括:形成阵列化排列的软磁材料,阵列化排列的软磁材料中包括多个阵列化排列的软磁材料块;形成流道结构;将流道结构与阵列化排列的软磁材料进行组装操作得到第一复合结构;在第一复合结构中流道结构的出口的斜上方位置设置磁场源,得到细胞表型分析芯片,磁场源的轴线与流道结构的轴线方向平行。可见,本发明通过磁场源和阵列化排列的软磁材料实现不同位置的软磁材料具有不同的磁场,形成了区分明显的磁性梯度。利用软磁材料的磁性梯度精细化划分细胞表型,并根据细胞表型识别细胞类型,提高细胞类型识别的准确性。

    磁调控标志物捕获芯片及制备方法和标志物快速检测方法

    公开(公告)号:CN115575629B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202211191591.6

    申请日:2022-09-28

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开一种磁调控标志物捕获芯片,包括芯片基体,所述芯片基体内设置有特定位置关系的进液口、储液区、软磁带材和磁铁,所述软磁带材和磁铁共同作用在进液口和储液区的连通处形成磁场捕获区;所述软磁带材通过图案化湿法刻蚀技术加工。本发明还公开了上述芯片的制备方法以及进行标志物快速检测的方法。本发明提供的磁调控标志物捕获芯片显色效果明显,从而提高后期检测的灵敏度和准确度,同时其制备方法简单,便于大规模应用。本发明检测方法将标志物溶液通入磁调控标志物捕获芯片中,操作方便,其用于检测的时间短,可以实现高效率、高敏感性和高稳定性的标志物捕获。

    一种模块组合式机械计算器

    公开(公告)号:CN110765793A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911016839.3

    申请日:2019-10-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种模块组合式机械计算器,包括一组A型模块和两组B型模块,两组所述B型模块位于所述A型模块的两侧;所述A型模块和B型模块均包括前板、侧板、底板和后板,所述前板、侧板、底板和后板拼接组成三个顶端开口的腔室,所述A型模块的腔室的顶部连接有A型上板,所述B型模块的腔室顶部连接有B型上板,所述A型上板和B型上板上安装有防退位组件,所述前板和后板之间设置有三个主轴,所述主轴上安装有实现接收低位进位和向高位进位功能的进位组件。本发明构思巧妙,布局合理结构紧凑,安装使用方便快捷,加工便利成本低,应用范围更广,可视化程度高,具有良好的教具展示效果。

    连续流磁分选芯片及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119662369A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411829403.7

    申请日:2024-12-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种连续流磁分选芯片及其制备方法,芯片包括:上压板、下压板、芯片底板和流道盖板,流道盖板贴合设置在芯片底板之上,在两者之间形成流道,流道盖板上还设置有流道入口和流道出口,上压板和下压板将芯片底板和流道盖板固定夹持在中间,芯片底板和流道盖板内均封装有软磁带材,软磁带材位于流道一侧。本发明使用软磁带材图案化阵列,且芯片底板和流道盖板内均封装有软磁带材,因此在竖直方向形成了双层排布,实现了流道内侧向为主、纵向为辅的磁力分布,有效减弱了细胞贴壁效果,可以实现高通量的细胞磁控筛选,提高了磁场筛选的效率。另外,本发明在细胞分选时,可以在磁场力的大小方面实现梯度分级调控。

    一种准二维细胞轨迹磁调控方法及系统

    公开(公告)号:CN115747382A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211474422.3

    申请日:2022-11-23

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明的一种准二维细胞轨迹磁调控方法及系统。该方法将含磁珠标记细胞的待分选流体从样品进口通入准二维细胞轨迹磁调控芯片的微流道中;芯片中在微流道所在平面的上下两侧分别设置有与微流道平行的软磁带材,软磁带材的调控边界与微流道中沿样品进口朝向余液出口方向流动的非磁流体之间形成夹角θ,0°<θ≤90°;启动外源匀强磁场对两侧软磁带材进行磁化,再根据对外源匀强磁场的磁通密度B与进入到微流道中流体的流速vf进行调节,使得磁珠标记细胞在调控边界处沿调控边界运行且平行于软磁带材;其中k=95403.3mT·s2/mm2,0°<θ≤90°,B0=21.6mT。本方法实现了防贴壁准二维磁珠‑细胞轨迹精准调控。

    一种软磁材料和软磁带材的刻蚀方法

    公开(公告)号:CN114613584A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210272569.8

    申请日:2022-03-18

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种软磁材料和软磁带材的刻蚀方法,属于软磁材料刻蚀领域,克服了现有技术中的软磁带材刻蚀精度差的缺陷。本发明软磁材料的刻蚀方法,包括以下步骤:S1、在软磁材料上涂布光刻胶,进行曝光和显影;S2、对S1获得的软磁材料重复交替进行在刻蚀液中浸泡处理和清洗处理,直至软磁材料达到刻蚀深度;S3、去除光刻胶。

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