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公开(公告)号：CN108318750B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810101655.6
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/24
Abstract: 本申请涉及输配电绝缘组件检测技术领域，尤其涉及一种绝缘子表面电荷反演算法。该算法包括：S1将绝缘子的表面划分为n个区域；S2获取第一时刻每个区域的第一表面电势Φ1i和第二时刻每个区域的第二表面电势Φ2i，i＝1,2,……,n；S3根据第一表面电势Φ1i和第二表面电势Φ2i，计算第一时刻和第二时刻之间，每个区域的电势变化值△Φi；S4根据每个区域的电势变化值△Φi，计算第一时刻和第二时刻之间，绝缘子的视在表面电荷密度变化量△σ′i；S5根据视在表面电荷密度变化量△σ′i，计算第一时刻和第二时刻之间，绝缘子的实际表面电荷密度变化量△σi。该算法能够分析绝缘子表面电荷随着时间的积聚过程，并且计算过程比较简便。
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公开(公告)号：CN108511141A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710101934.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01B19/00 , C23C14/083 , C23C14/24 , C23C14/35 , H01B19/04
Abstract: 一种电介质复合材料电荷注入抑制方法，包括镀膜步骤、固定步骤，所述镀膜步骤、固定步骤依次进行，其特征在于，所述镀膜步骤中，在高压设备载流体、绝缘材料其中至少一个表面进行镀膜，所述固定步骤中，将所述高压设备载流体与绝缘材料进行固定。其有益效果是：在电力传输及供配电设备中，涉及到导体同绝缘密切接触的电力配件，能够应用该方法作为电荷注入抑制方法，起到延长提高绝缘寿命，达到设备安全运行的效果。
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公开(公告)号：CN108511138A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710101936.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种高爬电间距电荷自适应消散高压直流盆式绝缘子，包括绝缘区、自适应区、爬电区，所述自适应区位于所述绝缘区的下端，所述爬电区位于所述绝缘区的顶端，所述自适应区的周围设有连接法兰，所述绝缘区的中部设有中心嵌块，同时，通过在顶端增加了凸起，以增加沿面间距。其有益效果是：可通过给出的外形设计进行等比调整后，作为盆式绝缘子应用于直流GIL系统。而且可以应用于涉及到需要盆式绝缘子进行支撑的交、直流电力设备中，包括隔绝气压类及导体支撑类等领域。同时，通过在顶端增加了凸起，以增加沿面间距，达到电荷自适应消散的效果。
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公开(公告)号：CN108319781B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201810102064.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本申请涉及输配电设备绝缘组件领域，尤其涉及一种基于多物理场的GIS/GIL内部绝缘件优化方法，具体包括参数测量；生成模型；热学计算；电学计算；力学计算；优化目标六个步骤，本发明通过整合力、电、热三个物理场，通过计算得出函数曲线，进而获得测试绝缘件的形态，通过对比选择最优形态的绝缘件投入使用，保证了策略运行得出的绝缘件能够克服现有技术中绝缘件表面电荷积聚、温度分布不均匀、气压变动带来的恶劣工作条件，从根本上保证了设计得出的绝缘件的鲁棒性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111415779A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201910007174.3
申请日：2019-01-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请属于电器设备技术领域，特别是涉及一种直流气体绝缘输电管道。GIL设备中的绝缘子表面会有电荷的积聚，使得GIL设备不稳定。本申请提供一种直流气体绝缘输电管道，包括中心导体，中心导体上设置有直流盆式绝缘子和直流支柱绝缘子；直流盆式绝缘子包括中央嵌件，中央嵌件通过环氧氧化铝复合件与法兰相连接，中央嵌件包括第一交点，法兰包括第二交点，第一交点与第二交点之间的连线与水平面夹角不大于20°；直流支柱绝缘子包括相互连接的第一支柱、第二支柱和第三支柱，第一支柱包括第一凸弧面和第二凸弧面、第二支柱包括第三凸弧面和第四凸弧面，第三支柱包括第五凸弧面和第六凸弧面。使得直流气体绝缘输电管道的运行更加稳定。
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公开(公告)号：CN108362954A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810102674.0
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于双侧表面电势的盆式绝缘子表面电荷反演算法,计算过程依次为：步骤一，有限元划分；步骤二，构建表面电势矩阵；步骤三，视在表面电荷值计算；步骤四，实际表面电荷值计算。其有益效果是：该算法考虑了片状绝缘片、盆式绝缘子或者其他形状的厚度远小于长度的绝缘片两侧表面的电荷对于其表面电势的影响，因此具有高精确度，且该算法由麦克斯韦方程组出发推导得出，因此泛用性较好。该算法可以广泛应用于表面电势至表面电荷的反演计算，这对于研究绝缘子表面电荷积聚相关问题、发展直流气体绝缘金属封闭输电线路具有积极意义。
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公开(公告)号：CN108305726A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810102505.7
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及电工技术设备制造技术领域，具体涉及一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子及其制备方法。在GIS设备的实际运行中，VFTO导致的不明闪络，以及二次侧设备损坏案例仍然时有发生，但是目前对VFTO抑制方法必须改变现有设备结构。本申请提供一种具有VFTO抑制功能的盆式绝缘子，包括中央嵌件，所述中央嵌件内设置有抗干扰部件，所述抗干扰部件与所述中央嵌件胶封。该设备能够通过引入磁环改变盆式绝缘子的高频电路参数，增加行波能量的损耗，阻尼行波的传播，从而抑制VFTO。
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公开(公告)号：CN108305723A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810102688.2
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01B17/02 , H01B17/145 , H01B17/42 , H01B19/00 , H01B19/02
Abstract: 一种基于非线性材料掺杂的盆式绝缘子及支柱绝缘子，包括填充料混合步骤、一次混料步骤、二次混料步骤、浇注步骤、一次固化步骤、二次固化步骤，所述填充料混合步骤、一次混料步骤、二次混料步骤、浇注步骤、一次固化步骤、二次固化步骤依次进行。其有益效果是：在保持现有盆式绝缘子和支柱绝缘子外形不变的前提下，添加非线性材料到填充料中，将现有填料中掺入一定质量分数的微米级碳化硅微粉，能够显著改善局部电场畸变情况，提升盆式绝缘子及支柱绝缘子的运行稳定性。
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公开(公告)号：CN108051716A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810102065.5
申请日：2018-02-01
Applicant: 清华大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本申请涉及局部放电检测技术领域，具体涉及一种基于分频采样的局部放电检测方法。所述方法包括以下步骤：采集局部放电检测阻抗两端的电压降；将所述电压降输入示波器的输入端；设置所述示波器的采样率及触发条件；所述示波器输出端显示局部放电脉冲信号。通过设置示波器的采样率及触发条件，使得示波器的输入端只采集偶发局部放电脉冲信号，便于对偶发局部脉冲特性进行汇总分析；此外，通过设置示波器的采样率及触发条件，确保示波器的输入端不需要一直进行采集脉冲信号，只有在有偶发脉冲发生时才被触发采集，这样无需使用内存较大的工控机一直实时采集，只需要一台示波器就可以实现，节省了采集设备的存储空间。
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