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公开(公告)号：CN102303978A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110149191.4
申请日：2011-06-03
Applicant: 清华大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565
Abstract: 本发明公开了属于多孔陶瓷技术领域的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法。其包括先驱体粉体制备、添加助剂、压力成型、炭化处理及烧结五个步骤，在原有包混工艺的老化步骤调节体系的pH值，制备硅粉表面包覆树脂的硅-树脂核壳结构先驱体粉体。本发明在制备具有硅-树脂核壳结构先驱体粉体的包混工艺老化步骤调节体系的pH值，从而改变树脂交联度，提高树脂稳定性，提高包覆效率，使最终得到的碳化硅陶瓷具备高强度(抗弯强度为10～30MPa)、低热膨胀系数等优点，同时原有工艺的高孔隙率(大于80％)，平均孔径在100～300μm且孔径分布均匀、抗热震性高(800℃热震30次强度损失6.5～30％)等特点均得以保留。
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