公开(公告)号：CN109873075A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711271098.4

申请日：2017-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 于浦 ,  李好博 ,  鲁年鹏 ,  马静 ,  南策文

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及一种磁电耦合器件，包括：导电基底、过渡金属氧化物层和磁性金属层。所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底的表面。所述过渡金属氧化物层为SrCoO2.5和HSrCoO2.5组成的混合物，其中所述SrCoO2.5所占的比例为0％-100％。所述磁性金属层设置于所述过渡金属氧化物层的表面，所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底与所述磁性金属层之间。所述磁电耦合器件通过氢离子和/或氧离子的迁移实现所述磁电耦合器件磁性的调控。本申请中提供的所述磁电耦合器件能够实现低功耗、响应快、室温可调的磁电耦合效应。所述磁电耦合器件能够极大的降低器件成本、提高集成度，促进离子调控的磁电耦合器件向应用领域迈进。

公开(公告)号：CN109873075B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201711271098.4

申请日：2017-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 于浦 ,  李好博 ,  鲁年鹏 ,  马静 ,  南策文

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及一种磁电耦合器件，包括：导电基底、过渡金属氧化物层和磁性金属层。所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底的表面。所述过渡金属氧化物层为SrCoO2.5和HSrCoO2.5组成的混合物，其中所述SrCoO2.5所占的比例为0％‑100％。所述磁性金属层设置于所述过渡金属氧化物层的表面，所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底与所述磁性金属层之间。所述磁电耦合器件通过氢离子和/或氧离子的迁移实现所述磁电耦合器件磁性的调控。本申请中提供的所述磁电耦合器件能够实现低功耗、响应快、室温可调的磁电耦合效应。所述磁电耦合器件能够极大的降低器件成本、提高集成度，促进离子调控的磁电耦合器件向应用领域迈进。