公开(公告)号：CN100395211C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510076993.1

申请日：2005-06-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 时利民 ,  赵宏生 ,  唐春和 ,  闫迎辉 ,  梁彤祥

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B38/06

Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体，其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯，接着高温碳化处理陶瓷生坯，最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80%的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好，是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。

公开(公告)号：CN1636870A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103488.7

申请日：2004-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 时利民 ,  赵宏生 ,  唐春和 ,  闫迎辉 ,  梁彤祥 ,  李自强

IPC: C01B31/36

Abstract: 本发明公开了属于无机材料制备技术领域的一种SiC微米粉体的制备方法。首先采用包混工艺将粒度小于15微米的Si源、碳源和酒精按质量比混合，然后进行高温碳化处理及高温烧结处理，最终获得粒度达到微米级至亚微米级，甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法可大大降低成本、且工艺实施简单、容易过渡到大批量生产、是一种能够制备微米级以至于亚微米级、纳米级的碳化硅粉体制备方法。

公开(公告)号：CN1657146A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410103487.2

申请日：2004-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 时利民 ,  赵宏生 ,  唐春和 ,  闫迎辉 ,  梁彤祥 ,  李自强

IPC: B01F7/16 ,  B01F15/00 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明公开了属于粉体制备设备范围的可以实现包混工艺产业化的一种新的混料系统。主要由混料部分、喷射部分、老化部分等三部分构成。混料部分主要由超级恒温槽、低温恒温循环器、混料器通过三通阀连接，搅拌器通过混料器盖固定在混料器内，起泥浆制备作用；喷射部分由喷枪通过球阀分别和混料器、压力罐连接组成，起将泥浆喷射到水中的作用；老化部分主要由放在恒温水浴槽内的烧杯及搅拌器构成，主要起到使粘结剂老化，并使其牢固地和骨料结合起来的效果。该混料系统将粘结剂溶液制备、泥浆制备、冷热处理、喷射萃取、老化处理合理的集中到一起，形成了一套系统，为将来实现产业化奠定了基础，具有设备简单、操作方便、成本低等特点。

公开(公告)号：CN1304286C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200410103488.7

申请日：2004-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 时利民 ,  赵宏生 ,  唐春和 ,  闫迎辉 ,  梁彤祥 ,  李自强

IPC: C01B31/36

Abstract: 本发明公开了属于无机材料制备技术领域的一种SiC微米粉体的制备方法。首先采用包混工艺将粒度小于15微米的Si源、碳源和酒精按质量比混合，然后进行高温碳化处理及高温烧结处理，最终获得粒度达到微米级至亚微米级，甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法可大大降低成本、且工艺实施简单、容易过渡到大批量生产、是一种能够制备微米级以至于亚微米级、纳米级的碳化硅粉体制备方法。

公开(公告)号：CN1699285A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510076993.1

申请日：2005-06-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 时利民 ,  赵宏生 ,  唐春和 ,  闫迎辉 ,  梁彤祥

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/06

Abstract: 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术领域的一种高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的制备方法。首先采用包混工艺将一定质量比的硅粉、酚醛树脂和酒精制备包混粉体，其次将包混粉体进行低温低压成型制备陶瓷生坯，接着高温碳化处理陶瓷生坯，最后将碳化处理样品进行高温烧结获得孔隙率大于80％的多孔碳化硅陶瓷。本方法工艺简单、生产效率高、节能、环境相容性好，是一种能够制备高孔隙率多孔碳化硅陶瓷的方法。