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公开(公告)号：CN101318704A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810116300.0
申请日：2008-07-08
Applicant: 清华大学
IPC: C01G41/02 , G01N27/407
Abstract: 一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线气敏传感器的制备方法，属于一维纳米氧化物材料的制备及气敏技术领域。将钨酸钠溶于去离子水中配制成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸形成淡黄色胶束溶液，离心分离；产物均匀分散到硫酸钾溶液中，转入反应釜中进行水热反应，即制得所述氧化钨纳米线。在所述氧化钨纳米线中添加粘合剂及玻璃料；元件烧结；元件老化制得氧化钨纳米线气敏传感器。本发明制备步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，所制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积和较高的热稳定性，氧化钨纳米线气敏传感器对低浓度(1～100ppm)H2、CO和NH3具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101303322B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810116301.5
申请日：2008-07-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/12
Abstract: WO3厚膜气敏传感器的表面改性方法，属于气敏传感器技术领域。在400～800℃的温度下保温2小时将钨酸分解；往WO3粉末中添加粘合剂，制得敏感材料浆料；将浆料印刷在被有叉指银电极和银电极引线的氧化铝基板上，在空气中保温烧结制备成WO3厚膜气敏传感器；将制得的WO3厚膜气敏传感器先在H2气氛中于保温，后在空气中保温，即制得改性后的WO3厚膜气敏传感器。本发明成本低廉，步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，表面改性后的WO3厚膜气敏传感器可对待测环境中1～200ppm的CO实现高灵敏检测，且响应恢复时间短，具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101318703A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810116299.1
申请日：2008-07-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法，属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸和草酸，搅拌；将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25～30克硫酸钾搅拌均匀，180℃温度下水热处理12～144小时；水热产物洗涤，在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线。根据制备得到的氧化钨纳米线，添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料；元件烧结；老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单，参数容易控制，整个制备过程能源消耗少，制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积；制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1～100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。
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公开(公告)号：CN101311367A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810103880.X
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种氧化钨纳米线材料，直径为10～80纳米，长度为200纳米至5微米，在AAO表面上生长成菊花状纳米线，钨的化合价为+6价。将三嵌段共聚物P123、WCl6和优级纯无水乙醇按(0.4～0.55)∶(0.8～1.2)∶(7～14)的重量比配制成溶胶；在－0.08～－0.2MPa的压力下将该溶胶填充在AAO模板孔内；水洗干燥；在高纯氩气0.3～0.4立方分米/分钟气氛下450～550℃之间烧结4～6小时后即制得所述氧化钨纳米线。本发明制备方法步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，制备的氧化钨纳米线形貌奇特，具有大的比表面积。在气敏传感器等领域具有十分重要的应用意义。
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公开(公告)号：CN101303322A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810116301.5
申请日：2008-07-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/12
Abstract: WO3厚膜气敏传感器的表面改性方法，属于气敏传感器技术领域。在400～800℃的温度下保温2小时将钨酸分解；往WO3粉末中添加粘合剂，制得敏感材料浆料；将浆料印刷在被有叉指银电极和银电极引线的氧化铝基板上，在空气中保温烧结制备成WO3厚膜气敏传感器；将制得的WO3厚膜气敏传感器先在H2气氛中于保温，后在空气中保温，即制得改性后的WO3厚膜气敏传感器。本发明成本低廉，步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，表面改性后的WO3厚膜气敏传感器可对待测环境中1～200ppm的CO实现高灵敏检测，且响应恢复时间短，具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN101311367B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810103880.X
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种氧化钨纳米线材料，直径为10～80纳米，长度为200纳米至5微米，在AAO表面上生长成菊花状纳米线，钨的化合价为+6价。将三嵌段共聚物P123、WCl6和优级纯无水乙醇按(0.4～0.55)∶(0.8～1.2)∶(7～14)的重量比配制成溶胶；在-0.08～-0.2MPa的压力下将该溶胶填充在AAO模板孔内；水洗干燥；在高纯氩气0.3～0.4立方分米/分钟气氛下450～550℃之间烧结4～6小时后即制得所述氧化钨纳米线。本发明制备方法步骤简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，制备的氧化钨纳米线形貌奇特，具有大的比表面积。在气敏传感器等领域具有十分重要的应用意义。
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