碳化硅场致发射阵列制备方法及真空管

    公开(公告)号:CN118136477A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410122342.4

    申请日:2024-01-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及电子器件领域,提供一种碳化硅场致发射阵列制备方法及真空管。碳化硅场致发射阵列制备方法包括:置备碳化硅基底、掩膜材料和纳米模板;将纳米模板设置于碳化硅基底待形成发射单柱的表面,纳米模板设有用于定义发射单柱的尺寸和位置的图案;在碳化硅基底设有纳米模板的表面镀设掩膜材料,以形成掩膜;去除纳米模板;利用刻蚀设备对碳化硅基底进行反应离子刻蚀,形成场致发射阵列。通过反应离子刻蚀的方式能够在碳化硅基底上形成发射单柱,从而形成碳化硅场致发射阵列,进而在一定程度上解决或者改善了碳化硅难以加工成碳化硅场致发射阵列的问题,形成了耐高温、耐腐蚀和抗辐射的碳化硅场致发射阵列。

    适于疏水基底的阳极氧化铝模板转移方法及装置

    公开(公告)号:CN118164430A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410120743.6

    申请日:2024-01-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及纳米结构制备领域,提供一种适于疏水基底的阳极氧化铝模板转移方法及装置。转移方法包括:置备目标基底、亲水基底、设有支撑层的阳极氧化铝模板和能够溶解支撑层的溶解液;将目标基底置于亲水基底上;在目标基底的表面及周围添加溶解液;利用阳极氧化铝模板覆盖目标基底,且支撑层背离目标基底,阳极氧化铝模板超出目标基底的部分与亲水基底添加溶解液的部分贴合;将目标基底、亲水基底和阳极氧化铝模板固定并浸入溶解液内浸泡;将目标基底与阳极氧化铝模板取下。氧化铝模板超出目标基底的部分在溶解液的液体表面张力下,与亲水基底紧密贴合,因此阳极氧化铝模板在两侧的作用力下能够产生绷紧,减少阳极氧化铝模板的局部褶皱的问题。

    适于平面基底的阳极氧化铝模板贴合装置及方法

    公开(公告)号:CN118136553A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410122337.3

    申请日:2024-01-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及纳米结构制备领域,提供一种适于平面基底的阳极氧化铝模板贴合装置及方法,阳极氧化铝模板贴合装置包括:凹模,凹模上设有第一盲孔,第一盲孔的孔口适于通过阳极氧化铝模板覆盖,第一盲孔的孔底设有用于容纳基底并为基底定位的第二盲孔,第二盲孔的深度小于基底的厚度;管体,管体用于伸入第一盲孔并与第一盲孔滑动配合,并且管体设置为能够套在基底的外侧。采用管体与第一盲孔配合产生的剪切作用完成对阳极氧化铝模板的切割,能够通过第一盲孔和管体二者的尺寸精度和配合精度,保证阳极氧化铝模板的尺寸精度和形状精度,受人工熟练度影响较小,从而能够提高阳极氧化铝模板与基底的适配性。

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