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公开(公告)号：CN116600622A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310564987.9
申请日：2023-05-18
Applicant: 清华大学
Inventor： 林红 , 刘炫伶
IPC: H10K85/50 , H10K71/12 , H10K30/50
Abstract: 本发明公开了钙钛矿杂化薄膜及其制备方法和钙钛矿光电器件，该钙钛矿杂化薄膜包括：(200)晶面择优取向的立方相硫化铅纳米片和钙钛矿。该钙钛矿杂化薄膜结构稳定性较强、缺陷态较少、结晶度较高，可制备得到具有较高光电转化效率和长期使用稳定性的钙钛矿光电器件。
