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公开(公告)号：CN85100133B
公开(公告)日：1988-03-23
申请号：CN85100133
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
Abstract: “微型箔式电阳应变计的制造方法”，属于计量、测试元件制造技术。本方法采用正性光刻胶光刻敏感栅，曝光光源为球形汞灯，采用０．８～１２％氢氧化钾溶液作显影液，用离心法制基底膜，用浓度为５５°～００°（波美）三氯化铁腐蚀液，一次腐蚀成型。采用此制造方法，能够制造丝栅宽度小于１０微米的康铜敏感栅，基底面积为２ｍｍ2，敏感栅面积为０．５ｍｍ2，栅长为０．５ｍｍ，电阻值为１２０Ω，传递变形能力达１×１０-2～２×１０-2的微型箔式电阻应变计。它可用于应力分析测量和微型传感器敏感元件方面。
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公开(公告)号：CN85100133A
公开(公告)日：1986-08-06
申请号：CN85100133
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
Abstract: “微型箔式电阻应变计的制造工艺”，属于计量、测试元件制造技术。本工艺采用正性光刻胶光刻敏感栅，曝光光源为球型汞灯，采用0.8-12％氢氧化钾溶液作显影液，用离心法制基底膜，用浓度为55°-60°(波美)三氯化铁腐蚀液，一次腐蚀成形。采用此制造工艺，能够制造丝栅宽度小于10微米的康铜敏感栅，基底面积为2mm2，敏感栅面积为0.5mm2，栅长0.5mm，电阻值为120Ω，传递变形能力达1×10-2-2×10-2的微型箔式电阻应变计。它可用于应力分析测量和微型传感器敏感元件方面。
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公开(公告)号：CN2136464Y
公开(公告)日：1993-06-16
申请号：CN92231238.9
申请日：1992-08-27
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 箔式电阻温度敏感元件是用金属箔作原料，经光化学腐蚀而成。它由基底膜，栅丝，保护膜构成。栅丝图形外轮廓为正方形，矩形，圆形，梯形，三角形等，其面积为1mm2至数十cm2，它可以粘贴到各种几何形状的载体上，制成圆柱状，圆管状，圆锥状，球状，片状等形状的温度探头。其优点是：性能稳定，复现性好，微型化，适合于大批量生产，成本低廉。箔式电阻温度敏感元件及其制成的温度探头，可应用于工业，科技，医疗，家电等领域。
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