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公开(公告)号：CN114781631B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210533434.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 清华大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 一种卷积层的映射方法及映射装置、卷积运算方法及运算装置。该映射方法包括：获取卷积层的维度[K，H，D，N]，N为卷积层中的卷积核的个数，K、H、D分别为卷积核的宽度、高度和通道数；将卷积层展开为行高度K×H×D、列宽度N的第0矩阵，在第0矩阵中的N列分别对应于将N个卷积核分别展开的长度为K×H×D的一维向量；基于第0矩阵，创建K‑1个变换矩阵，该K‑1个变换矩阵包括第1矩阵到第K‑1矩阵，其中，第m矩阵相对于第m‑1矩阵的变换包括第m矩阵中的行号＝(第m‑1矩阵中的行号+K)mod(K×H×D)，m为1到K‑1之间的整数；将第0矩阵到第K‑1矩阵映射到存算一体阵列中。该映射方法能有效提高阵列的空间利用率和卷积计算速度，并降低功耗。
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公开(公告)号：CN114781631A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210533434.2
申请日：2022-05-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种卷积层的映射方法及映射装置、卷积运算方法及运算装置。该映射方法包括：获取卷积层的维度[K，H，D，N]，N为卷积层中的卷积核的个数，K、H、D分别为卷积核的宽度、高度和通道数；将卷积层展开为行高度K×H×D、列宽度N的第0矩阵，在第0矩阵中的N列分别对应于将N个卷积核分别展开的长度为K×H×D的一维向量；基于第0矩阵，创建K‑1个变换矩阵，该K‑1个变换矩阵包括第1矩阵到第K‑1矩阵，其中，第m矩阵相对于第m‑1矩阵的变换包括第m矩阵中的行号＝(第m‑1矩阵中的行号+K)mod(K×H×D)，m为1到K‑1之间的整数；将第0矩阵到第K‑1矩阵映射到存算一体阵列中。该映射方法能有效提高阵列的空间利用率和卷积计算速度，并降低功耗。
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公开(公告)号：CN114268320A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111591131.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC: H03M1/80
Abstract: 一种数模转换电路、电子装置以及操作方法。该数模转换电路包括：第一电压端；第二电压端；忆阻器串模块，包括M个忆阻器，M个第一输出端以及模式切换模块；忆阻器设置模块，包括M个第一输入端、第二控制信号输入端和M个第三电压端；以及多路选择模块，包括M个第二输入端、m个数字信号输入端以及第二输出端，配置为根据数字转换信号对应地选择M个第二输入端之一与第二输出端电连接；其中，M＝2^m，m为大于1的整数。该数模转换电路能够表示多比特数据以匹配各类非线性函数，从而拓宽了非线性模拟信号的生成区间。
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公开(公告)号：CN114268320B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202111591131.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC: H03M1/80
Abstract: 一种数模转换电路、电子装置以及操作方法。该数模转换电路包括：第一电压端；第二电压端；忆阻器串模块，包括M个忆阻器，M个第一输出端以及模式切换模块；忆阻器设置模块，包括M个第一输入端、第二控制信号输入端和M个第三电压端；以及多路选择模块，包括M个第二输入端、m个数字信号输入端以及第二输出端，配置为根据数字转换信号对应地选择M个第二输入端之一与第二输出端电连接；其中，M＝2^m，m为大于1的整数。该数模转换电路能够表示多比特数据以匹配各类非线性函数，从而拓宽了非线性模拟信号的生成区间。
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