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公开(公告)号：CN1793042A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200610011114.1
申请日：2006-01-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种原位增韧氮化硅基陶瓷及其超快速烧结方法，属陶瓷材料领域。本发明以氮化硅粉末和氧化物/氧化物混合体添加剂为原料，混合均匀后采用放电等离子烧结(Spark Plasma Sintering，SPS)进行超快速烧结。所述氧化物添加剂为稀土氧化物，所述氧化物混合体添加剂为氧化铝，氮化铝以及稀土氧化物。这种超快速烧结方法使得原始的α－Si3N4相能在极短的时间内迅速的完全转变为β－Si3N4或β－sialon相，并且在氮化硅基陶瓷中原位形成了长柱状的β－Si3N4或β－sialon晶粒，所得的氮化硅基陶瓷具有高硬度和高韧性，是一种很有前途的结构材料。同时由于此烧结方法是在1至2分钟内超快速烧结，因此烧结工艺效率高，成本低廉。
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公开(公告)号：CN1793010A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200610011190.2
申请日：2006-01-13
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/119 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种具有高韧性的氧化铝基陶瓷及其制备方法，属陶瓷材料技术领域。所述陶瓷含有α－Al2O3和ZrO2(3Y)先驱体，所述ZrO2(3Y)先驱体加入的体积百分比为3－12％。所述制备方法是在pH＝9.0－9.5条件下，用聚甲基丙烯酸铵进行表面改性，制备出α－Al2O3和ZrO2(3Y)两相水悬浮液；再将两相水悬浮液在700－750℃下煅烧；最后将混合粉体在压力为150－200MPa下等静压成型，在1500－1650℃温度烧结。由于包覆型ZrO2能有效改善Al2O3基陶瓷的显微结构及力学性能，且加入一定数量的ZrO2，可有效阻碍Al2O3晶粒的异常长大，因此获得的氧化铝基陶瓷材料具有高硬度、耐高温、耐腐蚀和耐磨损等金属材料难以相比的优点。此外所采用的无压烧结方法提高了Al2O3(ZTA)陶瓷材料的生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN1793040A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200610011191.7
申请日：2006-01-13
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/626 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种高强度无机分离膜用多孔陶瓷支撑体及其制备方法。所述陶瓷支撑体含有预制的碳化硅骨料，粘结剂和造孔剂；所述碳化硅骨料的重量百分比为90－95％，所述粘结剂的重量百分比为5－10％，所述造孔剂的体积百分比为35－50％。所述制备方法是在预制的β相碳化硅骨料粉末中加入粘结剂和造孔剂，球磨、干燥、干压或冷等静压成型；将成型后的粉体进行无压烧结，烧结温度为1280－1360℃，保温时间2－6小时。由于本发明通过原料的严格分级形成骨料并利用特殊工艺添加粘结剂和造孔剂等技术，能大大提高多孔材料的强度及孔隙率。所制备的碳化硅多孔陶瓷具有膨胀系数低，抗热震性强，高温下良好的机械和化学稳定性等优异性能。
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公开(公告)号：CN1793043A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200610011115.6
申请日：2006-01-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明以氮化硅粉末和一定量的单一稀土氧化物添加剂为原料，混合均匀后成型，烧结使其致密化，再对其进行烧结后热处理。所述氮化硅陶瓷含有α相氮化硅粉末和单一稀土氧化物添加剂，所述α相氮化硅粉末的重量百分比为80～95％，所述单一稀土氧化物添加剂的重量百分比为5～20％。这种材料在完全没有添加预制的β－Si3N4晶种的情况下不但具有很高的室温强度而且在高温下其强度也很高，是一种制作轧辊，涡轮转子，燃烧室内壁，轴承，切割刀具，阀门，热处理夹具等零部件理想的高温结构材料，可广泛应用于冶金，化工，机械，航天及军事领域。
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