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公开(公告)号：CN111416040B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010166484.2
申请日：2020-03-11
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜覆盖于所述栅极绝缘层上，所述有机半导体层覆盖于所述无机半导体层上，所述有机半导体层上间隔设置有源极和漏极。本发明通过调节金属氧化物薄膜和有机聚合物薄膜中的载流子浓度到合适水平，并在制备薄膜的过程中适当控制各界面处的缺陷形成，制备出性能较优的双极性薄膜场晶体管，并可实现通过特定的栅极脉冲电压模拟刺激输入模拟突触功能，使得无论源漏电压处于何种偏置状态，均能通过栅极电压的调整实现晶体管器件的增强和抑制模式的突触模拟。
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公开(公告)号：CN111416040A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010166484.2
申请日：2020-03-11
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜覆盖于所述栅极绝缘层上，所述有机半导体层覆盖于所述无机半导体层上，所述有机半导体层上间隔设置有源极和漏极。本发明通过调节金属氧化物薄膜和有机聚合物薄膜中的载流子浓度到合适水平，并在制备薄膜的过程中适当控制各界面处的缺陷形成，制备出性能较优的双极性薄膜场晶体管，并可实现通过特定的栅极脉冲电压模拟刺激输入模拟突触功能，使得无论源漏电压处于何种偏置状态，均能通过栅极电压的调整实现晶体管器件的增强和抑制模式的突触模拟。
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