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公开(公告)号：CN111416040B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010166484.2
申请日：2020-03-11
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜覆盖于所述栅极绝缘层上，所述有机半导体层覆盖于所述无机半导体层上，所述有机半导体层上间隔设置有源极和漏极。本发明通过调节金属氧化物薄膜和有机聚合物薄膜中的载流子浓度到合适水平，并在制备薄膜的过程中适当控制各界面处的缺陷形成，制备出性能较优的双极性薄膜场晶体管，并可实现通过特定的栅极脉冲电压模拟刺激输入模拟突触功能，使得无论源漏电压处于何种偏置状态，均能通过栅极电压的调整实现晶体管器件的增强和抑制模式的突触模拟。
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公开(公告)号：CN106340528B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610844648.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明的一种双金属浮栅存储器及其制备方法，包括步骤：自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层。本发明通过选择双金属合金纳米颗粒，可实现对纳米颗粒费米能级的调控，从而实现对存储器展现可调的性能。另外，采用微接触印刷法制备单层结构的双金属合金纳米颗粒层，可有效节省材料，降低损耗，大大减少了存储器件制造成本。此外，本发明存储器器件结构可实现高密度存储，维持存储器器件高性能运行，调控浮栅能级实现了数据的长时间保存，并实现了双金属结构纳米粒子存储器件读写速度和记忆时间的平衡。
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公开(公告)号：CN106206947A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610844649.0
申请日：2016-09-23
Applicant: 深圳大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0036 , H01L51/0566
Abstract: 本发明的一种有机场效应晶体管及其制备方法，包括步骤：在基底上依次沉积栅极和绝缘层；在绝缘层上沉积复合物半导体层；其中，所述复合物半导体层的材料为金纳米棒与P3HT溶液的混合液；在复合物半导体层上沉积源漏电极。本发明在P3HT溶液中引入金纳米棒制备基于复合物薄膜的有机场效应晶体管，一方面由于金纳米棒的形貌尺寸均一可控，掺杂金纳米棒可以有效的提高P3HT薄膜的结晶度并优化P3HT分子在薄膜中的取向。另一方面，通过引入不同配体对金纳米棒表面进行修饰，可以调控其电荷传输性能，这将有利于器件迁移率的提高。
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公开(公告)号：CN111416040A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010166484.2
申请日：2020-03-11
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管，其中，自下而上依次包括：衬底、栅电极层、栅极绝缘层、无机半导体层、有机半导体层、源极和漏极，所述无机半导体层由金属氧化物薄膜构成，所述有机半导体层由有机聚合物薄膜构成，所述金属氧化物薄膜覆盖于所述栅极绝缘层上，所述有机半导体层覆盖于所述无机半导体层上，所述有机半导体层上间隔设置有源极和漏极。本发明通过调节金属氧化物薄膜和有机聚合物薄膜中的载流子浓度到合适水平，并在制备薄膜的过程中适当控制各界面处的缺陷形成，制备出性能较优的双极性薄膜场晶体管，并可实现通过特定的栅极脉冲电压模拟刺激输入模拟突触功能，使得无论源漏电压处于何种偏置状态，均能通过栅极电压的调整实现晶体管器件的增强和抑制模式的突触模拟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690345A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910818407.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种光控忆阻器及其制备方法，所述光控忆阻器包括基底，底电极层，ABX3钙钛矿活性层以及顶电极层。所述光控忆阻器制备方法包括步骤，提供基底，在所述基底上沉积底电极层；采用旋涂法在所述底电极层上沉积ABX3钙钛矿活性层；在所述ABX3钙钛矿活性层沉积顶电极层。本发明使用钙钛矿作为活性层，由于钙钛矿材料具有很高的光电转换效率。同时，钙钛矿材料中离子迁移所需的活化能很低，在较低的电压下离子就能定向移动形成导电通道，可以有效地降低器件的操作电压。通过电场和光的共同作用调节钙钛矿材料的离子移动来实现光可控的忆阻性能。所制备的忆阻器具有多阻态线性调控的能力，在神经形态计算领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110534572A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910701893.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开一种近红外光调控突触晶体管及其制备方法，所述晶体管的制备方法包括以下步骤：制备MoSe2/Bi2Se3异质结构；配置PMMA的氯苯溶液，再将MoSe2/Bi2Se3异质结构混合到PMMA的氯苯溶液中；在Si/SiO2衬底层上设置MoSe2/Bi2Se3/PMMA层，在100-140摄氏度下退火30-50分钟；在MoSe2/Bi2Se3/PMMA层上设置半导体层；在半导体层上设置源极与漏极。本发明中基于MoSe2/Bi2Se3的拓扑绝缘体材料的突触装置显示出明显的近红外光控制的突触可塑性特征，近红外光光强度的调控使得本发明的光子突触器件实现了由短期可塑性STP对应的短期记忆向长期可塑性LTP对应的长期记忆的转变，为光控神经架构及其在神经形态计算中的应用提供了硬件基础。
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公开(公告)号：CN110635028A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910867184.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L45/00 , H01L41/193 , H01L41/45 , H01L25/16 , G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种自供电阻变存储器及其制备方法，其包括阻变存储器件和压电器件，所述阻变存储器件与压电器件串联以驱动所述阻变存储器件。本发明采用同时具有阻变效应和压电效应的苯丙氨酸二肽分别制备阻变存储器件和压电器件，并将两者串联，利用压电器件产生的电能驱动阻变存储器的开启和关闭，使得阻变存储器件在不需要外加电压的情况下也能实现电阻转变从而实现数据的存储，进而通过自供电降低了所述阻变存储器件的工作功耗。同时，本发明采用的阻变层和压电层的材料为苯丙氨酸二肽，生物相容性好且可降解，提高了器件整体的可降解属性。
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公开(公告)号：CN110441375A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910610923.1
申请日：2019-07-08
Applicant: 深圳大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开一种单糖晶体管传感器及其制备方法，所述单糖晶体管传感器包括：源极、漏极、半导体层、介电层、栅极；所述介电层接触连接于所述栅极上方，所述半导体层接触连接于所述介电层上方，所述源极与所述漏极皆为接触连接于半导体层上方，且所述源极与所述漏极不直接接触；所述半导体层为阿斯巴甜修饰的氧化石墨烯。本发明采用阿斯巴甜作为单糖识别单元，使用化学手段将其修饰到石墨表面，制成阿斯巴甜修饰的氧化石墨烯半导体层，通过阿斯巴甜与不同的单糖间存在特异性相互作用力引起沟道电流的差异，实现了可同时识别不同种单糖的晶体管传感器，具有良好的生物相容性和生物应用潜力。
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公开(公告)号：CN106340528A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610844648.6
申请日：2016-09-23
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L27/28
CPC classification number: H01L27/283
Abstract: 本发明的一种双金属浮栅存储器及其制备方法，包括步骤：自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层。本发明通过选择双金属合金纳米颗粒，可实现对纳米颗粒费米能级的调控，从而实现对存储器展现可调的性能。另外，采用微接触印刷法制备单层结构的双金属合金纳米颗粒层，可有效节省材料，降低损耗，大大减少了存储器件制造成本。此外，本发明存储器器件结构可实现高密度存储，维持存储器器件高性能运行，调控浮栅能级实现了数据的长时间保存，并实现了双金属结构纳米粒子存储器件读写速度和记忆时间的平衡。
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