一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法

    公开(公告)号:CN111399348B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202010302901.1

    申请日:2020-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法,通过化学反应引入金属‑氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响,增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连。本发明引入的金属‑氧化学键可以消除水分子表面张力的影响,有效增强光刻胶图形的机械强度,抑制图形的坍塌与黏连;生长工艺简单,成本低,效率高;生长温度低,不会对光刻胶图形造成新的破坏;去胶时容易清除图形表面附着的金属‑氧化学键,不会引入新污染。

    一种高深宽比光刻胶图形处理方法

    公开(公告)号:CN111399349A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010302902.6

    申请日:2020-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法,基于等离子体辅助原子层淀积,抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连,将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔,把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔,在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键,最后吹扫去除多余反应物和副产物,增强光刻胶图形的机械强度,抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度,抑制图形的坍塌与黏连;生长工艺简单,用时很短,效率高;生长温度低,不会对光刻胶图形造成新的破坏;去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属-氧化学键,不会引入新污染。

    一种组合逻辑电路简化方法

    公开(公告)号:CN110765730A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911018527.6

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种组合逻辑电路简化方法,利用树搜索原理对组合逻辑电路进行简化,将组合逻辑电路逻辑表达式中的每一项设为节点,将每一个节点中的变量依次取反,然后在同级节点中搜索有无相同项,若搜索到有相同项将该变量消去并保留作为其子节点,若没有搜索到相同项,直接对下一个变量取反然后搜索;同级节点指的是变量个数相同的节点。本发明基于人工智能的自主搜索优化策略,实现了组合逻辑电路的智能简化设计;通过使用启发式策略,简化了搜索过程,提高了搜索速度。

    一种利用地表水中的铬离子污染物制备高性能催化剂的方法

    公开(公告)号:CN115948762B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202211643240.4

    申请日:2022-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种利用地表水中的铬离子污染物制备高性能催化剂的方法,将小块泡沫镍经过盐酸酸洗、酒精润洗后置于硝酸铁溶液中浸泡,室温下得到镍铁层状双氢氧化物阵列;将所述镍铁层状双氢氧化物阵列作为工作电极和催化剂,直接在受铬离子污染的湖水所配制的碱性溶液中进行电解水反应,在此过程中铬离子会吸附在催化剂材料上,起到修饰效果。本发明采用上述一种利用地表水中的铬离子污染物制备高性能催化剂的方法,生成了高性能的电解水制氢析氧半反应催化剂;利用催化剂独特的结构和电子态,有效吸附铬离子污染物,可以达到同时吸附水中金属离子污染物,减小污染,同时提升催化剂性能的效果。

    一种利用金属离子污染物提升催化剂全解水制氢性能的方法

    公开(公告)号:CN116288466A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211656592.3

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种利用金属离子污染物提升催化剂全解水制氢性能的方法,包括如下步骤:(1)将泡沫镍裁剪成小块,然后将泡沫镍在盐酸溶液中浸泡一段时间,然后取出;(2)将收集的矿区湖水倒入烧杯,放在鼓风干燥箱中浓缩;(3)将步骤(1)中泡沫镍浸泡在步骤(2)浓缩的湖水中一段时间,使泡沫镍充分吸收水中的重金属离子,即得性能增强的全电解水制氢催化剂。本发明采用上述一种利用金属离子污染物提升催化剂全解水制氢性能的方法,利用矿区湖水中的重金属铬离子污染提升电解水制氢催化剂的析氢和析氧性能,对水中的污染物起到去污效果,同时提升了电解水制氢性能,获得高性能的催化剂,增加了附加价值,有利于促进当地经济绿色发展。

    一种高深宽比光刻胶图形处理方法

    公开(公告)号:CN111399349B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202010302902.6

    申请日:2020-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法,基于等离子体辅助原子层淀积,抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连,将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔,把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔,在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属‑氧化学键,最后吹扫去除多余反应物和副产物,增强光刻胶图形的机械强度,抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度,抑制图形的坍塌与黏连;生长工艺简单,用时很短,效率高;生长温度低,不会对光刻胶图形造成新的破坏;去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属‑氧化学键,不会引入新污染。

    一种利用人工食品制备多孔电磁波吸收材料的方法

    公开(公告)号:CN115072702A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210817427.5

    申请日:2022-07-12

    Abstract: 本发明公开了一种利用人工食品制备多孔电磁波吸收材料的方法,包括以下步骤:(1)首先称取人工食品作为碳源,将人工食品碳源研磨后转入瓷舟中,将其在密闭条件下升温碳化;(2)碳化完成后自然冷却降温至中间温度,然后解除密闭条件;(3)在空气中保温一段时间后自然冷却至室温,得到样品;(4)将样品洗涤干燥后制得成品。本发明采用上述的一种利用人工食品制备多孔电磁波吸收材料的方法,通过密闭碳化和空气中降温的一步碳化处理方式,具有良好的可调节性,最大程度的减少了制备过程中资源的耗费,可以运用于大多数的碳基材料中,为制备多孔的碳材料提供一个思路,制备方法简单,原材料价格低廉以及副产物无污染,适合工业化生产。

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