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公开(公告)号：CN111399348B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010302901.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 淮北师范大学
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明公开了一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，通过化学反应引入金属‑氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响，增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连。本发明引入的金属‑氧化学键可以消除水分子表面张力的影响，有效增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，成本低，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属‑氧化学键，不会引入新污染。
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公开(公告)号：CN111399349A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010302902.6
申请日：2020-04-17
Applicant: 淮北师范大学
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连，将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属-氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，用时很短，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属-氧化学键，不会引入新污染。
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公开(公告)号：CN111399349B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202010302902.6
申请日：2020-04-17
Applicant: 淮北师范大学
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明公开了一种高深度比光刻胶图形处理方法，基于等离子体辅助原子层淀积，抑制高深宽比光刻胶图形坍塌和黏连，将显影后的光刻胶图形样品放入原子层淀积设备反应腔，把等离子体辅助离化后的金属或类金属化合物前驱体通入反应腔，在设定反应温度条件下与光刻胶图形大分子表面附着的水分子反应生成金属/类金属‑氧化学键，最后吹扫去除多余反应物和副产物，增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌和变形。本发明极大增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，用时很短，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属/类金属‑氧化学键，不会引入新污染。
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公开(公告)号：CN111399348A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010302901.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 淮北师范大学
IPC: G03F7/40
Abstract: 本发明公开了一种抑制光刻胶图形结构坍塌与黏连的方法，通过化学反应引入金属-氧化学键消除光刻胶图形表面去离子水表面张力影响，增强光刻胶图形机械强度从而抑制图形坍塌与黏连。本发明引入的金属-氧化学键可以消除水分子表面张力的影响，有效增强光刻胶图形的机械强度，抑制图形的坍塌与黏连；生长工艺简单，成本低，效率高；生长温度低，不会对光刻胶图形造成新的破坏；去胶时容易清除图形表面附着的金属-氧化学键，不会引入新污染。
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