公开(公告)号：CN115693019A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211391307.X

申请日：2022-11-08

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 尤玉 ,  孟宁安 ,  崔灿 ,  张富家 ,  喻翰治

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/417 ,  H01M50/431 ,  H01M50/449 ,  H01M50/451 ,  H01M50/489 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明属于锂硫电池隔膜技术领域，具体来说是层间宽化MoSe2纳米管修饰的Celgard隔膜及其制备方法和在锂硫电池中的应用，本发明采用正辛胺、MoO3粉末和SeO2粉末制备宽化MoSe2纳米管，并将宽化MoSe2纳米管修饰于Celgard隔膜表面，得到层间宽化MoSe2纳米管修饰的Celgard隔膜。本发明采用层间宽化MoSe2纳米管材料对Celgard进行涂层获得修饰Celgard隔膜，以通过层间宽化MoSe2纳米管材料限制多硫离子的“穿梭效应”，并同时允许锂离子的自由扩散，提高电池性能。