公开(公告)号：CN114267818A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111601369.4

申请日：2021-12-24

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 尤玉 ,  喻翰治 ,  崔灿 ,  包书红 ,  张富家 ,  张永兴

IPC: H01M4/13 ,  H01M50/431 ,  H01M50/46

Abstract: 本发明公开了一种提高锂硫电池循环性能的正极多硫缓冲层制备方法及应用，涉及电极材料处理技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将氧化石墨烯均匀分散于辛胺溶液后，转移至反应釜中，再加入MoO3和SeO2，混合均匀后，于180～200℃，反应12～36h后，获得前驱体；再将前驱体清洗、干燥，在氢气与惰性气体的混合气氛中，于380～450℃退火还原1.5～3h，获得MoSe2@rGO复合材料；将MoSe2@rGO复合材料置于研磨体中，加入PVDF和NMP，研磨至混合均匀，得到黑色浆料，随后将黑色浆料涂覆于预处理的铝箔上，真空干燥，即得正极多硫缓冲层。本发明提供的多硫缓冲层材料可以降低涂层与正极之间的界面阻抗、促进放电产物向活性硫的可逆转化，从而提高活性硫利用率和电池整体性能。

公开(公告)号：CN115693019A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211391307.X

申请日：2022-11-08

Applicant: 淮北师范大学

Inventor： 尤玉 ,  孟宁安 ,  崔灿 ,  张富家 ,  喻翰治

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/417 ,  H01M50/431 ,  H01M50/449 ,  H01M50/451 ,  H01M50/489 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明属于锂硫电池隔膜技术领域，具体来说是层间宽化MoSe2纳米管修饰的Celgard隔膜及其制备方法和在锂硫电池中的应用，本发明采用正辛胺、MoO3粉末和SeO2粉末制备宽化MoSe2纳米管，并将宽化MoSe2纳米管修饰于Celgard隔膜表面，得到层间宽化MoSe2纳米管修饰的Celgard隔膜。本发明采用层间宽化MoSe2纳米管材料对Celgard进行涂层获得修饰Celgard隔膜，以通过层间宽化MoSe2纳米管材料限制多硫离子的“穿梭效应”，并同时允许锂离子的自由扩散，提高电池性能。