公开(公告)号：CN120026269A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510184710.2

申请日：2025-02-19

Applicant: 海南大学

Inventor： 张先满 ,  符任 ,  刘百川 ,  罗洪峰

IPC: C23C2/12 ,  C23C2/28 ,  C22C21/00 ,  C23F1/10 ,  C23F1/44 ,  C30B29/62 ,  C30B29/02 ,  C30B11/00 ,  C21D6/00 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明属于新型材料技术领域，具体提供一种五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体及其制备方法，所述五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体是由Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑In‑Si合金及后续扩散热处理生成由FeAl3和Cr‑Al‑B MAB相交替组成的周期性层片结构，该周期性层片结构经260℃的BiCl3熔盐腐蚀后即可得到五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体。五元MAB相固溶体在制备过程中，热浸镀Al‑In‑Si合金生成的Cr‑(Al,In)‑B MAB相固溶体会自发生长In晶须，而经BiCl3熔盐腐蚀后，Cr‑(Al,In)‑B MAB相固溶体会转变为Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体，但不会生长晶须。本发明工艺简单，不仅拓展了MAB相固溶体及晶须的种类，还找到了抑制晶须生长的方法。

公开(公告)号：CN119221131A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411361495.0

申请日：2024-09-27

Applicant: 海南大学

Inventor： 张先满 ,  符任 ,  刘百川 ,  罗洪峰 ,  刘世豪

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/52 ,  C23C2/12 ,  C23C2/28

Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种含Bi的晶须材料及其制备与抑制生长方法，所述的含Bi的晶须的上端与下端成分不同，上端为Bi时则下端为Sn，上端为Sn时则下端为Bi。该晶须生长在周期性层片结构中的Cr‑(Al,Sn,Bi)‑B MAB相固溶体区域。所述的制备与抑制生长方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑10Sn‑4Si‑xBi合金(质量百分数，2＜x＜60)及后续扩散热处理，经研磨、抛光后即可利用扫描电子显微镜观察，当x小于15时，可随机生长含Bi的晶须；当x大于15时则无晶须生长。本发明通过一种简单的工艺，即可制备出多元MAB相固溶体，并调控含Bi的晶须的生长与抑制方法，不仅拓展了MAB相固溶体的种类，还丰富了晶须的种类。