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公开(公告)号：CN120026269A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510184710.2
申请日：2025-02-19
Applicant: 海南大学
IPC: C23C2/12 , C23C2/28 , C22C21/00 , C23F1/10 , C23F1/44 , C30B29/62 , C30B29/02 , C30B11/00 , C21D6/00 , C23F17/00
Abstract: 本发明属于新型材料技术领域，具体提供一种五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体及其制备方法，所述五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体是由Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑In‑Si合金及后续扩散热处理生成由FeAl3和Cr‑Al‑B MAB相交替组成的周期性层片结构，该周期性层片结构经260℃的BiCl3熔盐腐蚀后即可得到五元Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体。五元MAB相固溶体在制备过程中，热浸镀Al‑In‑Si合金生成的Cr‑(Al,In)‑B MAB相固溶体会自发生长In晶须，而经BiCl3熔盐腐蚀后，Cr‑(Al,In)‑B MAB相固溶体会转变为Cr‑(Al,Bi,In)‑B MAB相固溶体，但不会生长晶须。本发明工艺简单，不仅拓展了MAB相固溶体及晶须的种类，还找到了抑制晶须生长的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119221131A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411361495.0
申请日：2024-09-27
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种含Bi的晶须材料及其制备与抑制生长方法，所述的含Bi的晶须的上端与下端成分不同，上端为Bi时则下端为Sn，上端为Sn时则下端为Bi。该晶须生长在周期性层片结构中的Cr‑(Al,Sn,Bi)‑B MAB相固溶体区域。所述的制备与抑制生长方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑10Sn‑4Si‑xBi合金(质量百分数，2＜x＜60)及后续扩散热处理，经研磨、抛光后即可利用扫描电子显微镜观察，当x小于15时，可随机生长含Bi的晶须；当x大于15时则无晶须生长。本发明通过一种简单的工艺，即可制备出多元MAB相固溶体，并调控含Bi的晶须的生长与抑制方法，不仅拓展了MAB相固溶体的种类，还丰富了晶须的种类。
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公开(公告)号：CN119082863A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411192849.3
申请日：2024-08-28
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种成分复杂的晶须材料及其制备方法，所述的成分复杂的晶须的主体为固溶了少量Zn的Sn，头部则随机分布少量的纯Zn、Al。该晶须生长在周期性层片结构中的Cr‑(Al,Sn,Zn)‑B MAB相固溶体区域。所述的制备方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑Zn‑Sn‑Si合金及后续扩散热处理，即可获得Cr‑(Al,Sn,Zn)‑B MAB相固溶体。经研磨、抛光后即可观察到自发生长的成分、结构复杂的晶须。本发明通过一种简单的工艺，即可制备出多元MAB相固溶体，并可自发生长成分复杂的晶须，不仅拓展了MAB相固溶体的种类，还丰富了晶须的种类与理论。
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公开(公告)号：CN119061485A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411193466.8
申请日：2024-08-28
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种顶部为Sn的Zn晶须及其制备方法。该晶须生长在周期性层片结构中的Cr‑(Al,Sn,Zn)‑B MAB相区域。所述的制备方法为Fe‑Cr‑B铸钢热浸镀Al‑Sn‑Si合金及后续扩散热处理，再经500℃ZnCl2熔盐浸泡后即可获得Cr‑(Al,Sn,Zn)‑B MAB相固溶体。经研磨、抛光后即可观察到自发生长的成分、结构复杂的晶须。本发明通过一种简单的工艺，即可制备出多元MAB相固溶体，并可自发生长的顶部为Sn的Zn晶须。本发明不仅拓展了MAB相固溶体的种类，还丰富了晶须的种类与理论。
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公开(公告)号：CN118880468A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410952859.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新型材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种自发生长Ag晶须的材料及其制备方法，将Fe‑Cr‑B铸钢Al‑Si合金熔体中进行热浸镀及后续扩散热处理，再浸入到AgCl熔盐中进行腐蚀，最终得到发白的周期性层片结构，其中，发白的Cr‑Al‑Ag‑B MAB相可自发生长Ag晶须。本发明通过简单的工艺生成了Cr‑Al‑Ag‑B MAB相并可自发生长贵金属Ag晶须，同时拓宽了MAB相的种类，也为Ag晶须的生长提供了新方法。
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公开(公告)号：CN118756139A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410952853.9
申请日：2024-07-16
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种周期性层片结构镀层的脱Al方法及应用，所述的方法包括将含有周期性层片结构镀层的试件浸入到MoCl5熔盐中浸泡腐蚀，具体地，将Fe‑Cr‑B铸钢进行热浸镀纯Al‑扩散热处理，进而原位生成由Cr‑Al‑B MAB相和FeAl3交替排列组成的周期性层片结构。然后将该周期性层片结构的镀层浸入到200‑250℃的MoCl5熔盐中一定时间（0.5‑2 h）取出，即可获得脱Al的周期性层片结构镀层，脱Al的方式都为生成AlCl3并发生挥发。本发明通过简单的工艺在较低的温度、较短的时间内即可获得脱Al的周期性层片结构镀层，并可阻挡MoCl5熔盐的侵蚀。
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