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公开(公告)号：CN1825483B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610004967.2
申请日：2006-01-12
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/24
Abstract: 一种非易失性存储器装置，其包括：第一存储器块，其包括提供在第一漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元；以及第二存储器块，其包括提供在第二漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。所述第一和第二存储器块共享相同的源极选择晶体管，所述源极选择晶体管通过源极选择线被提供电压。
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公开(公告)号：CN101252020B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200710145276.9
申请日：2007-08-17
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/28 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C29/00
Abstract: 一种包括MLC的存储器件的读取方法，包括下列步骤：根据第一读取命令执行数据读取操作；确定读取的数据的错误校正是否是可能的，如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第二读取命令执行数据读取操作；根据第二读取命令确定读取的数据的错误校正是否可能；且如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第N个(N≥3，N为整数)读取命令执行数据读取操作。
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公开(公告)号：CN102543197B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110462213.2
申请日：2011-12-20
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
CPC classification number: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：页缓冲器，所述页缓冲器被配置成储存从存储器单元读取的数据；计数器电路，所述计数器电路被配置成在将读取操作重复执行设定的次数时对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成基于计数数目来确定读取操作的数目并确定所述存储器单元的读取数据。
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公开(公告)号：CN102543197A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462213.2
申请日：2011-12-20
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
CPC classification number: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：页缓冲器，所述页缓冲器被配置成储存从存储器单元读取的数据；计数器电路，所述计数器电路被配置成在将读取操作重复执行设定的次数时对每个读取操作的读取数据中的第一数据或第二数据的数目进行计数；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置成基于计数数目来确定读取操作的数目并确定所述存储器单元的读取数据。
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公开(公告)号：CN101252020A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710145276.9
申请日：2007-08-17
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/28 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C29/00
Abstract: 一种包括MLC的存储器件的读取方法，包括下列步骤：根据第一读取命令执行数据读取操作；确定读取的数据的错误校正是否是可能的，如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第二读取命令执行数据读取操作；根据第二读取命令确定读取的数据的错误校正是否可能；且如果作为确定的结果错误校正是困难的，则根据第N个(N≥3，N为整数)读取命令执行数据读取操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1949393B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610099360.7
申请日：2006-07-17
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10
Abstract: 一种用于对非易失性存储器件编程的方法，包括将第一虚电压施加到多级单元(MLC)。第一编程电压施加至该MLC以对该MLC编程。该MLC被检验是否该MLC通过该第一编程电压正确地编程。在已施加该第一虚电压之后但在施加该第一编程电压之前，第二虚电压施加至该MLC，该第二虚电压比该第一虚电压高N伏，其中，施加至该MLC的该第二虚电压是充分低的电压，以便该第二虚电压不改变该MLC的初始状态。在已施加该第二虚电压之后，第三虚电压施加至该MLC，该第三虚电压比该第二虚电压高N伏。
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公开(公告)号：CN1949393A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610099360.7
申请日：2006-07-17
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10
Abstract: 一种用于对非易失性存储器件编程的方法，包括将第一虚电压施加到多级单元(MLC)。第一编程电压施加至该MLC以对该MLC编程，在该第一虚电压已施加至该MLC之后，该第一编程电压施加至该MLC。该MLC被检验是否该MLC通过该第一编程电压正确地编程。在已施加该第一虚电压之后，第二虚电压施加至该MLC，该第二虚电压比该第一虚电压高N伏，其中，施加至该MLC的该第二虚电压是充分低的电压，以便该第二虚电压不改变该MLC的初始状态。在已施加该第二虚电压之后，第三虚电压施加至该MLC，该第三虚电压比该第二虚电压高N伏。
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公开(公告)号：CN1848297A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610009487.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/12 , G11C16/3418
Abstract: 本发明提供一种在NAND闪存装置中防止产生热电子所致的程序扰动的方法。一低于一施加至其它字线的程序抑制电压的信道升压防扰电压被施加至耦接至离选择晶体管最近的存储器单元的边缘字线。结果，一介于耦接至所述边缘字线的所述存储器单元与所述选择晶体管之间的电场减弱，且热电子的能量减小。
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公开(公告)号：CN101763904B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN200910262084.5
申请日：2009-12-23
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F12/0246 , G06F2212/7209
Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法，包括：执行读取操作来读取存储在包括第一单位组的第一存储单元块中的数据；从第一单位组中检测第二单位组，该第二单位组具有的在读取数据中包括的错误位的数量比设定位数多，且等于或少于可以通过错误检测和校正(ECC)处理校正的最大允许位数；以及在检测第二单位组之后，执行回写操作来将存储在第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块。本发明还公开了一种非易失性存储装置。
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公开(公告)号：CN101866694A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910246523.3
申请日：2009-11-30
Applicant: 海力士半导体有限公司
Inventor： 朱锡镇
IPC: G11C16/26
Abstract: 在一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法中，对选择的位线预充电。向所有字线顺序地施加通过电压。被施加到从所有字线中选择的字线的通过电压被改变为读取电压。读取电压被施加到所选择的字线。读取被耦合到所选字线的存储单元的数据。
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