公开(公告)号：CN1070515A

公开(公告)日：1993-03-31

申请号：CN92105604.4

申请日：1992-07-11

Applicant: 浦项综合制铁株式会社 ,  产业科学技术研究所

Inventor： 丁润夏 ,  郑东皓 ,  张景植

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7784 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括：一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形成：用有机金属化学汽相淀积工艺在低反层压力下形成第一GaAs层；然后将Si杂质，如SiH4或Si2H6呈△-掺杂掺入层内，再用相同的淀积工艺，在同样条件下形成第二CaAs层，从而形成本发明的GaAs/AlGaAs△-掺杂量子阱场效应晶体管。

公开(公告)号：CN1025091C

公开(公告)日：1994-06-15

申请号：CN92105604.4

申请日：1992-07-11

Applicant: 浦项综合制铁株式会社 ,  产业科学技术研究所

Inventor： 丁润夏 ,  郑东皓 ,  张景植

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/365 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7784 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括：一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形成：用有机金属化学汽相淀积工艺在低反应压力下形成第一GaAs层；然后将Si杂质，如SiH4或Si2H6呈Δ-掺杂掺入层内，再用相同的淀积工艺，在同样条件下形成第二CaAs层，从而形成本发明的CaAs/AlGaAsΔ-掺杂量子阱场效应晶体管。