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公开(公告)号：CN101617388B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880005796.2
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。
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公开(公告)号：CN101617388A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005796.2
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。
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公开(公告)号：CN102856455B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210300925.9
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。
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公开(公告)号：CN102856455A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210300925.9
申请日：2008-03-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , C23C16/042 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板（1），其具有GaN系半导体层（6）和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层（7），其中，GaN系半导体层（6）是在基底层（4）上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层（6）呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面（62）的层。
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