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公开(公告)号：CN106229373A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610782045.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于β-Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β-Ga2O3薄膜作为光敏层，再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极，并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极，制备获得的β-Ga2O3/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β-Ga2O3薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测，该异质结器件可工作于0V偏压下，具有零功耗工作的特点。本发明中β-Ga2O3薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法，制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β-Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN106449889A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611057998.4
申请日：2016-11-26
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在石英(SiO2)衬底上沉积一层p-CuAlO2薄膜，然后利用掩膜板并再次通过射频磁控溅射技术在p-CuAlO2薄膜上沉积一层n-Ga2O3薄膜，其面积是p-CuAlO2薄膜面积的一半，最后利用射频磁控溅射技术在p-CuAlO2和n-Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有广阔的应用范围；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN107841785B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201711020720.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 浙江理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α‑Ga2O3和β‑Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过在衬底上覆盖一层氧化镓籽晶层，利用水热法在籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并进行400℃脱水形成α‑Ga2O3纳米柱阵列，通过高温快速退火处理的方式在α‑Ga2O3纳米柱的周围形成一层β‑Ga2O3，获得α‑Ga2O3/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列。本发明的制备方法操作简单、成本低、重复性好，纳米柱阵列分布均匀、直径和长度可控；通过构建α/β‑Ga2O3相结，在界面处形成第二类型的能带排列，能使载流子(电子空穴对)快速、有效的分离，同时纳米柱阵列具有高比表面积的优势，可应用于深紫外光电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409963A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610837110.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β-Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN106449889B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201611057998.4
申请日：2016-11-26
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化镓/CuAlO2异质结日盲型紫外探测器的制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在石英(SiO2)衬底上沉积一层p‑CuAlO2薄膜，然后利用掩膜板并再次通过射频磁控溅射技术在p‑CuAlO2薄膜上沉积一层n‑Ga2O3薄膜，其面积是p‑CuAlO2薄膜面积的一半，最后利用射频磁控溅射技术在p‑CuAlO2和n‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有广阔的应用范围；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106229373B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610782045.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β‑Ga2O3薄膜作为光敏层，再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极，并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极，制备获得的β‑Ga2O3/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β‑Ga2O3薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测，该异质结器件可工作于0V偏压下，具有零功耗工作的特点。本发明中β‑Ga2O3薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法，制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β‑Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN106409963B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610837110.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107841785A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711020720.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 浙江理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α-Ga2O3和β-Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过在衬底上覆盖一层氧化镓籽晶层，利用水热法在籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并进行400℃脱水形成α-Ga2O3纳米柱阵列，通过高温快速退火处理的方式在α-Ga2O3纳米柱的周围形成一层β-Ga2O3，获得α-Ga2O3/β-Ga2O3相结纳米柱阵列。本发明的制备方法操作简单、成本低、重复性好，纳米柱阵列分布均匀、直径和长度可控；通过构建α/β-Ga2O3相结，在界面处形成第二类型的能带排列，能使载流子(电子空穴对)快速、有效的分离，同时纳米柱阵列具有高比表面积的优势，可应用于深紫外光电器件。
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